铌酸锶钡薄膜的微结构与电光性能的研究

本文叙述了使用溶胶凝胶法在MgO(0 0 1)的衬底上制备铌酸锶钡薄膜的过程 ,膜层厚度可达 5 μm。通过X射线衍射、摇摆曲线、扫描、拉曼散射光谱等方法研究了薄膜的微结构性能 ,实验发现 ,铌酸锶钡薄膜具有了较好的 (0 0 1)方向的优先取向性能 ,并且随着薄膜厚度的增加 ,其晶体取向性也会随之不断改进。熔石英的透明衬底上生长的SBN薄膜具有较大的电致双折射效应 ,其有效电光系数能够高达 6 6 2× 10 -11m/V。

有机凝胶法制备Sr_(0.5)Ba_(0.5)Nb_2O_6铁电薄膜及其电性能研究

采用有机凝胶法制备了Sr0.5Ba0.5Nb2O6(SBN50)铁电薄膜.研究了pH值和EDTA的用量对Sr-Ba-Nb前驱体溶液稳定性的影响,并对不同pH值条件下获得的Sr-Ba-Nb干凝胶的热分解历程进行了对比.计算和实验结果表明,制备Sr-Ba-Nb前驱体溶液的最佳pH=8,EDTA:金属离子(摩尔比)=2:1.在700℃下退火30min所得SBN50薄膜为单一钨青铜结构多晶薄膜.室温下,测试频率1kHz时,薄膜的介电常数为221,介电损耗为0.02,剩余极化强度Pr=8.17μC／cm2,矫顽场Ec=16.9kV／cm.

硅衬底Ba_(1-x)Sr_xNb_yTi_(1-y)O_3薄膜光敏特性的研究

利用硅平面工艺和氩离子束镀膜技术在SiO2/Si衬底上淀积一层厚45nm的钛铌酸锶钡(Ba1-xSrxNbyTi1-yO3)薄膜,制成Al/Ba1-xSrxNbyTi1-yO3/SiO2/Si结构平面型薄膜电阻器。测试了该薄膜电阻器的吸收光谱,不同照度、电压下的光电流,调制光下的频率特性。实验结果表明:在钛酸钡中掺入锶(Sr)和铌(Nb)后,禁带内引入了杂质能级,钛铌酸锶钡禁带宽度变为2.7eV,且可见光区域存在连续的吸收峰。该薄膜在近紫外及可见光范围内具有良好的光敏特性,其灵敏度和光电导增益较高,并且具有较好的线性光照特性。光照强度较低时,电阻器的光照特性属于单分子复合过程;光照强度较高时,电阻器的光照特性属于双分子复合过程。通过对该薄膜电阻器频率特性的测量得出:在光照度为200lx时,薄膜中光生载流子的寿命为27ms。