CoZrNb磁控溅射的背散射研究

对于各组份原子质量相差显著的CoZrNb合金,当使用磁控溅射时,在靶和基板之间存在不同的实际源,由这个实际源发生的粒子将在靶死区内背散射沉积。实际源到靶的距离随溅射工作气体压力而变化。对于原子质量较大的Zr和Nb,这种背散射的程度要比原子质量小的Co更严重。背散射沉积薄膜的表面微结构证实,这种背散射沉积过程类似于真空蒸发。为了获得理想配比的CoZrNb薄膜,应该选择合适的溅射工作气体压力。