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锰锑酸铅-锌铌酸铅-锆钛酸铅陶瓷的压电性能 被引量:4
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作者 周静 孙华君 陈文 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期289-292,共4页
以同时位于准同型相界的Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05(Zr1/2Ti1/2)0.95O3(PMnS PZT)与Pb(Zn1/3Nb2/3)0.28(Zr1/2Ti1/2)0.72O3(PZN PZT)组合而成的xPb(Mn1/3Sb2/3)0.05(Zr1/2Ti1/2)0.95O3(1-x)Pb(Zn1/3Nb2/3)0.28(Zr1/2Ti1/2)0.72O3[xPMnS(1-x)PZN... 以同时位于准同型相界的Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05(Zr1/2Ti1/2)0.95O3(PMnS PZT)与Pb(Zn1/3Nb2/3)0.28(Zr1/2Ti1/2)0.72O3(PZN PZT)组合而成的xPb(Mn1/3Sb2/3)0.05(Zr1/2Ti1/2)0.95O3(1-x)Pb(Zn1/3Nb2/3)0.28(Zr1/2Ti1/2)0.72O3[xPMnS(1-x)PZN]四元系压电陶瓷为研究对象,研究了PZN和PMnS含量的变化对xPMnS(1-x)PZN材料结构与性能的影响,制备了具有高性能的四元系xPMnS(1-x)PZN陶瓷材料。结果表明性能最好的组成位于准同型相界附近靠近四方相含量较高的区域。Ba2+,Sr2+取代显著提高了材料的压电性能,Ba2+取代0.5PMnS0.5PZN的性能为压电系数d33=406pC/N,机电耦合系数kp=0.55,介电常数ε3T3/ε0=2183,机械品质因数Qm=1077和介电损耗tanδ=2.7%;Sr2+取代0.6PMnS0.4PZN的性能为d33=438pC/N,kp=0.55,ε3T3/ε0=2701,Qm=1073和tanδ=3.3%。 展开更多
关键词 锰锑酸--钛酸陶瓷 准同型相区间 结构 压电性能 锶取代
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锰锑酸铅-锌铌酸铅-锆钛酸铅陶瓷的铁电性能 被引量:3
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作者 周静 彭蔚蔚 +1 位作者 郭吉丰 陈文 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期174-177,共4页
通过电滞回线测试,探讨了xPb(Mn1/3Sb2/3)0.05(Zr1/2Ti1/2)0.95O3(1-x)Pb(Zn1/3Nb2/3)0.28(Zr1/2Ti1/2)0.72O3[xPMnS-(1-x)PZN]陶瓷的铁电性能及铁电相变特性。同时研究了Ba2+取代Pb2+对材料铁电性能的影响。结果表明:三方相含量较高的0... 通过电滞回线测试,探讨了xPb(Mn1/3Sb2/3)0.05(Zr1/2Ti1/2)0.95O3(1-x)Pb(Zn1/3Nb2/3)0.28(Zr1/2Ti1/2)0.72O3[xPMnS-(1-x)PZN]陶瓷的铁电性能及铁电相变特性。同时研究了Ba2+取代Pb2+对材料铁电性能的影响。结果表明:三方相含量较高的0.2PMnS-0.8PZN陶瓷具有较高的矫顽场和较大的剩余极化强度;四方相含量较高的0.5PMnS-0.5PZN和0.6PMnS-0.4PZN陶瓷具有较低的矫顽场和较小的剩余极化强度,Ba2+取代使三方相含量增加,铁电性能明显提高。 展开更多
关键词 锰锑酸--钛酸陶瓷 铁电性能 压电陶瓷 钡取代
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PZN-PZT压电陶瓷及其PVDF压电复合材料的制备和性能 被引量:22
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作者 李小兵 田莳 李宏波 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期70-74,共5页
采用固相烧结法合成了 PZN- PZT(铌锌锆钛酸铅 )三元系压电陶瓷烧结块材和粉末 ,并采用 XRD、SEM等测试方法对其结构和性能进行了分析。PZN- PZT常压烧结陶瓷具有优良的压电性能 ,PZN- PZT颗粒粒径在 0 .5~ 4 μm之间 ,颗粒形态不太规... 采用固相烧结法合成了 PZN- PZT(铌锌锆钛酸铅 )三元系压电陶瓷烧结块材和粉末 ,并采用 XRD、SEM等测试方法对其结构和性能进行了分析。PZN- PZT常压烧结陶瓷具有优良的压电性能 ,PZN- PZT颗粒粒径在 0 .5~ 4 μm之间 ,颗粒形态不太规整。采用溶液共混法将 PZN- PZT粒子均匀分散于 PVDF基体中 ,制备了 PZN- PZT/PVDF0 - 3型压电复合材料。研究了 PZN- PZT质量分数、极化电场等因素对该压电复合材料压电和介电性能的影响。实验结果表明 ,选用压电活性更高的压电陶瓷粉末进行复合 ,可有效提高压电复合材料的压电性能。增加 PZN-PZT质量分数。 展开更多
关键词 PZN-PZT压电陶瓷 PVDF 制备 PZN-PZT 固相烧结法 压电复合材料 溶液共混法 聚偏二氟乙烯 铌锌锆钛酸铅 压电聚合物
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五元系PZN-PSN-PMS-PZT压电陶瓷的研究 被引量:8
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作者 孙琳 孙清池 胜鹏 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2004年第1期35-38,共4页
对PZN-PSN-PMS-PZT五元系压电陶瓷的烧结温度(1200~1280°C)、Zr/Ti与性能的关系以及部分Sr2+、Ba2+取代Pb2+对材料性能的影响进行了研究。实验结果表明:当Zr/Ti=0.455/0.435,掺Sr2+、Ba2+(摩尔分数均为2%)时,在1260°C,2h条... 对PZN-PSN-PMS-PZT五元系压电陶瓷的烧结温度(1200~1280°C)、Zr/Ti与性能的关系以及部分Sr2+、Ba2+取代Pb2+对材料性能的影响进行了研究。实验结果表明:当Zr/Ti=0.455/0.435,掺Sr2+、Ba2+(摩尔分数均为2%)时,在1260°C,2h条件下烧结,样品的品质因数Qm为1671;介电常数εTr3为1294;压电常数d33为285pC·N-1;介质损耗tanδ为0.004;机电耦合系数kp为0.522;居里温度TC为295°C;矫顽场强Ec为19kV·cm-1,显示出该五元系具有很大的应用价值和发展潜力。 展开更多
关键词 压电陶瓷 -锡-锑锰-钛酸 锶、钡取代 电滞回线
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低频窄带压电陶瓷滤波器材料的研究 被引量:1
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作者 蹇胜勇 杨莉 +1 位作者 刘光聪 刘相果 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第2期199-201,共3页
采用传统的压电陶瓷制备方法,研究锆钛比(r(Zr/Ti)、掺杂、烧成工艺对低频窄带Pb(Zn1/3Nb2/3)x(Sn1/3Nb2/3)yTiAZrBO3四元系压电陶瓷性能的影响,并研究压电振子的杂波抑制方法。结果表明,r(Zr/Ti)为0.71,w(MnO2)=0.5%时,材料的性能达到... 采用传统的压电陶瓷制备方法,研究锆钛比(r(Zr/Ti)、掺杂、烧成工艺对低频窄带Pb(Zn1/3Nb2/3)x(Sn1/3Nb2/3)yTiAZrBO3四元系压电陶瓷性能的影响,并研究压电振子的杂波抑制方法。结果表明,r(Zr/Ti)为0.71,w(MnO2)=0.5%时,材料的性能达到最佳:机械品质因数Qm=2 600,机电耦合系数k15=0.43,频率温度系数τf=29×10-6/℃;倒去振子两对角的棱角,可以有效地抑制低频厚度切变振动模式的杂波。 展开更多
关键词 -锡-钛酸压电陶瓷 厚度切变振动 低频窄带
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一步合成法制备高灵敏度0.1PZN-0.12PNN-0.78PZT压电陶瓷
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作者 吴凡 盖学周 +1 位作者 汪跃群 李伟 《船舶标准化与质量》 2023年第2期47-51,共5页
常用的软性接收型压电陶瓷材料压电性能良好,但灵敏度较低(g_(31)=6×10^(-3)V·m/N~9×10^(-3)V·m/N),不利于在水听器领域的应用。为了获得适用于工业生产的高灵敏度压电陶瓷材料,文章采用工业级化工原料通过一步合... 常用的软性接收型压电陶瓷材料压电性能良好,但灵敏度较低(g_(31)=6×10^(-3)V·m/N~9×10^(-3)V·m/N),不利于在水听器领域的应用。为了获得适用于工业生产的高灵敏度压电陶瓷材料,文章采用工业级化工原料通过一步合成法制备了铌锌-铌镍-锆钛酸铅(0.1 Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_(3)-0.12 Pb(Ni_(1/3)Nb_(2/3))O_(3)-0.78 Pb(Zr_(1-x)Ti_(x))O_(3),x=0.475~0.51)压电陶瓷,研究了锆含量x变化对于该体系压电陶瓷微观形貌及电学性能的影响。结果表明,该体系在x=0.485时,具有最佳综合电学性能,此时ε_(r)=2 330,k_(p)=0.673,d_(33)=575 p C/N,tanδ=1.7%,Q_(m)=71,T_(c)=307℃,E_(c)=1 091 V/mm,但接收灵敏度(g_(31)=7.891×10^(-3)V·m/N)与常规软性材料无太大差异;当x=0.50时,该体系具有最高的灵敏度(g_(31)=10.875×10^(-3)V·m/N)以及较高的综合电学性能,此时ε_(r)=885,k_(p)=0.625,d_(33)=334 p C/N,tanδ=1.84%,Q_(m)=100,T_(c)=293℃,E_(c)=795 V/mm,该组分在水听器领域具有很高的应用潜力。 展开更多
关键词 -镍-钛酸 高灵敏度 一步合成法 工业生产
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