掺杂铌锰酸铅-锆钛酸铅压电陶瓷材料及其制备工艺

该发明专利为掺杂铌锰酸铅一锆钛酸铅压电陶瓷材料及其制备工艺。该专利以铌锰酸铅一锆钛酸铅压电陶瓷为基体，以SrCO3置换部分PbO和添加MnCO3，经过混料、球磨、预烧、加压成型、烧结等工艺步骤，获得了能在中、低温烧结，且能维持高机电耦合系数、高机械品质因子的掺杂铌锰酸铅一锆钛酸铅压电陶瓷材料，属于压电材料领域。

PbMn_(1/2)Nb_(1/2)O_3粉体的制备及表征

建立了用固相反应法制备PZT热释电陶瓷添加剂铌锰酸铅PbMn_(1/2)Nb_(1/2)O_3的方法,制备出了化学和相组成稳定、纯度高的PbMn_(1/2)Nb_(1/2)O_3结晶粉末,方法简便,工艺成熟。对反应条件进行了优化,并对PbMn_(1/2)Nb_(1/2O_3的元素价态、晶形结构等进行了表征。

压电陶瓷变压器材料PMMN-PZT的研究

研究了一种四元系压电陶瓷变压器材料PMMN -PZT。XRD分析证明 ,采用二步法预合成的PMMN -PZT粉料不如一步法 ;SEM分析进一步证实了一步法预合成的粉料能制成性能更好的陶瓷样品。造粒工艺对陶瓷样品的显微结构和压电性能也有重要的影响。最后制得了性能较好的PMMN -PZT压电陶瓷材料 ,其Kp=0 .5 18,Qm=3887,tanδ =0 .71% ,εT3 3 /ε0 =70 1,d3 3 =2 0 3。

成型工艺对PMN-PMS-PZT热释电陶瓷性能的影响

采用干压、冷等静压和凝胶注模等不同成型工艺制备铌锰酸铅-锑锰酸铅-锆钛酸铅（PMN—PMS-PZT）陶瓷，并进行对比研究。实验结果表明，冷等静压成型的陶瓷综合性能较好，其具有均匀紧凑的晶粒结构，可得到较高的成瓷密度；使材料的介电常数εr，和介电损耗tanδ降低，在保持较高热释电系数p的同时降低低温铁电三方相-高温铁电三方相（FRL—FRH）的相变温度，并使热释电系数峰值得到稳定。其最佳性能为室温时，εr=216，tanδ=0．20％，p=12．0×10^-4C／m^2·℃（持续温区为23-55℃），探测率优值FD=24．6×10^-5Pa^-1/2。

大功率压电陶瓷材料

该成果对铌镁铝钛酸铅和铌锰锆钛酸铅进行了最佳组合和改性，从而获得在大功率使甩条件下性能优异的铌镁酸铅、铌锰酸铅、锆酸铅、钛酸铅（PMMN）四元系压电陶瓷材料，解决了大功率压电变压器材料问题。用该材料制作的压电变压器，其单片（100×25×3．6）输出功率可达65W，正常连续输出50W。