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Nb_2O_5掺杂对Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbZrO_3-PbTiO_3陶瓷组织与性能的影响
被引量:
2
1
作者
宁海霞
侯现博
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第9期2352-2357,共6页
采用固相烧结法制备Nb2O5掺杂的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbZrO3-PbTiO3+0.5mol%ZnO(PMN-PZT)压电陶瓷,研究了不同Nb2O5掺杂量对材料结构及压电介电性能的影响。实验结果表明,随着Nb2O5掺杂量的增加(0~1mol%),PMN-PZT陶瓷的晶界强度提...
采用固相烧结法制备Nb2O5掺杂的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbZrO3-PbTiO3+0.5mol%ZnO(PMN-PZT)压电陶瓷,研究了不同Nb2O5掺杂量对材料结构及压电介电性能的影响。实验结果表明,随着Nb2O5掺杂量的增加(0~1mol%),PMN-PZT陶瓷的晶界强度提高,断裂模式由沿晶断裂逐渐转变为穿晶断裂,而且陶瓷的压电介电性能升高。当Nb2O5掺杂量为1mol%时,1250℃烧结的陶瓷样品性能参数为:d33=430 pC/N,Qm=60,kp=0.52,kt=0.38,εr=3620,tanδ=0.017。
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关键词
固相烧结
铌镁-锆钛酸铅
NB2O5
断裂模式
晶界强度
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职称材料
MgO掺杂对PMMN四元系压电陶瓷结构与性能的影响
被引量:
2
2
作者
蒋红霞
周桃生
+2 位作者
彭绯
尚勋忠
余祖高
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期356-359,共4页
采用固相烧结法制备添加过量MgO的铌镁-铌锰-锆钛酸铅(PMMN)四元系压电陶瓷材料,研究了不同MgO掺杂量对材料结构及压电介电性能的影响。实验结果表明,适量MgO掺杂,不仅不改变PMMN压电陶瓷的钙钛矿相结构,且能提高合成粉体的晶化程度,降...
采用固相烧结法制备添加过量MgO的铌镁-铌锰-锆钛酸铅(PMMN)四元系压电陶瓷材料,研究了不同MgO掺杂量对材料结构及压电介电性能的影响。实验结果表明,适量MgO掺杂,不仅不改变PMMN压电陶瓷的钙钛矿相结构,且能提高合成粉体的晶化程度,降低陶瓷的烧结温度,改善材料的压电介电性能。当MgO掺杂量为0.25%质量分数,1130℃烧结的样品性能参数为:d33=310 pC/N,Qm=1008,kp=0.61,tanδ=0.34%,ε33T/ε0=1494,是一种中温烧结功率型压电陶瓷材料,适用于多层压电变压器,超声马达等器件。
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关键词
压电陶瓷
铌
镁
-
铌
锰
-
锆
钛酸
铅
MgO掺杂
压电介电性能
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职称材料
题名
Nb_2O_5掺杂对Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbZrO_3-PbTiO_3陶瓷组织与性能的影响
被引量:
2
1
作者
宁海霞
侯现博
机构
苏州市职业大学机电工程学院
同济大学功能材料研究所
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第9期2352-2357,共6页
基金
国家自然科学基金(50875181)
文摘
采用固相烧结法制备Nb2O5掺杂的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbZrO3-PbTiO3+0.5mol%ZnO(PMN-PZT)压电陶瓷,研究了不同Nb2O5掺杂量对材料结构及压电介电性能的影响。实验结果表明,随着Nb2O5掺杂量的增加(0~1mol%),PMN-PZT陶瓷的晶界强度提高,断裂模式由沿晶断裂逐渐转变为穿晶断裂,而且陶瓷的压电介电性能升高。当Nb2O5掺杂量为1mol%时,1250℃烧结的陶瓷样品性能参数为:d33=430 pC/N,Qm=60,kp=0.52,kt=0.38,εr=3620,tanδ=0.017。
关键词
固相烧结
铌镁-锆钛酸铅
NB2O5
断裂模式
晶界强度
Keywords
solid state sintering
PMN
-
PZT
Nb2O5
fracture mode
grain boundary strength
分类号
TN22 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
MgO掺杂对PMMN四元系压电陶瓷结构与性能的影响
被引量:
2
2
作者
蒋红霞
周桃生
彭绯
尚勋忠
余祖高
机构
湖北大学材料科学与工程学院铁电压电材料与器件湖北省重点实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期356-359,共4页
基金
湖北省科技攻关资助项目(2004AA101C70)
湖北省教育厅重点资助项目(2004D009)
文摘
采用固相烧结法制备添加过量MgO的铌镁-铌锰-锆钛酸铅(PMMN)四元系压电陶瓷材料,研究了不同MgO掺杂量对材料结构及压电介电性能的影响。实验结果表明,适量MgO掺杂,不仅不改变PMMN压电陶瓷的钙钛矿相结构,且能提高合成粉体的晶化程度,降低陶瓷的烧结温度,改善材料的压电介电性能。当MgO掺杂量为0.25%质量分数,1130℃烧结的样品性能参数为:d33=310 pC/N,Qm=1008,kp=0.61,tanδ=0.34%,ε33T/ε0=1494,是一种中温烧结功率型压电陶瓷材料,适用于多层压电变压器,超声马达等器件。
关键词
压电陶瓷
铌
镁
-
铌
锰
-
锆
钛酸
铅
MgO掺杂
压电介电性能
Keywords
piezoelectric ceramics
PMMN
MgO doped
piezoelectric and dielectric property
分类号
TM282 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Nb_2O_5掺杂对Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbZrO_3-PbTiO_3陶瓷组织与性能的影响
宁海霞
侯现博
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
2
下载PDF
职称材料
2
MgO掺杂对PMMN四元系压电陶瓷结构与性能的影响
蒋红霞
周桃生
彭绯
尚勋忠
余祖高
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
2
下载PDF
职称材料
已选择
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