Be等电子序列高激发态结构(J=0,1,2,偶宇称)

本文应用本征通道量子亏损理论(EQDT)系统地研究了J=0,1,2,偶宇称Be等电子序列(BeI—SiⅪ)的高激发态结构.得到了描述高激发态结构的EQDT基本参量(μ,U_(i))以及它们随有效核电荷数增大的变化规律.以这些参量作为输入,获得了类Be体系2sns,2snd和2pnp(双激发态)组态的全部Rydberg能级及混合系数.计算结果表明,在高激发态,我们的理论结果与实验值相对误差在10^(-5)左右.