面向等离子体材料Ti/Cu过渡涂层的制备及微观结构分析

在MAIP-1000多功能真空离子镀膜机上,采用磁控溅射方法分别在CuCrZr合金/316LN不锈钢基座包套上制备Cu过渡层,在铍块上制备Ti阻碍扩散层。通过金相显微分析、俄歇电子能谱分析(AES)、X射线衍射(XRD)分析、扫描电镜(SEM)测试分别对膜层表面粗糙度、膜层及结合界面金相组织进行分析。结果表明,利用磁控溅射方法制备的过渡层(Cu膜)和阻碍扩散层(Ti膜)空间分布均匀,表面粗糙度低、纯度高,界面结合紧密。Ti阻碍层有效阻止了Be与Cu元素;的直接扩散,为Be块与CuCrZr合金包套的热等静压扩散焊接(Hot isostatic pressing bonding,HIPB)提供了高性能的焊接过渡层。