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硅中Rh—B络合物性质的理论研究
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作者 曹洪凯 倪国权 吴汲安 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 1994年第2期131-135,共5页
用原子簇ＲｈＢＳｉ２５模拟含四面体间隙Ｒｈ和替代位Ｂ构成的络合物的硅晶体，采用量子化学中Ｘα－ＳＷ分子轨道理论计算体系的电子结构．电荷分布分析表明，此体系不能用通常的离子模型来描述．
关键词 硅 铑-硼络合物 Xα-SW 分子轨道
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