铜辅助化学腐蚀条件对多孔硅的影响

以铜(Cu)作为催化剂,采用两步化学腐蚀法成功制备了微纳米多孔硅(PS)。本文方法成本低廉、操作简易。系统研究了腐蚀液中H2O2浓度、Si衬底掺杂浓度、腐蚀液温度和腐蚀时间对PS表面形貌和腐蚀深度的影响,并得到最佳制备参数。高、低掺Si衬底所采用的最佳配比腐蚀液中的H2O2浓度分别达到0.70mol/L和0.24mol/L。在25℃腐蚀液中,腐蚀2h得到约200nm深的纳米级孔洞,其表面反射率在宽波段内降低到5%以下;而在50℃腐蚀液中,经过2~4h的腐蚀,可得到14~41μm深的结构稳定的微纳米级孔洞。文中还对Cu辅助腐蚀与其他金属辅助腐蚀(MACE)作了对比,分析了Cu辅助腐蚀获得锥状孔洞的原因和机理。