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铜互连电迁移可靠性的研究进展
被引量:
7
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作者
刘静
吴振宇
+1 位作者
汪家友
杨银堂
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期364-368,373,共6页
综述了近年来铜互连电迁移可靠性的研究进展;讨论了电迁移的基本原理、常用研究方法及主要失效机制;探讨了改善铜互连电迁移性能的各种方法,如铜合金、增加金属覆盖层及等离子体表面处理。最后,指出了铜互连可靠性研究中存在的问题。
关键词
铜
互连
电迁移
扩散路径
铜/介质覆盖层界面
下载PDF
职称材料
题名
铜互连电迁移可靠性的研究进展
被引量:
7
1
作者
刘静
吴振宇
汪家友
杨银堂
机构
西安电子科技大学微电子研究所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期364-368,373,共6页
基金
西安-应用材料创新基金资助项目(XA-AM-200501)
文摘
综述了近年来铜互连电迁移可靠性的研究进展;讨论了电迁移的基本原理、常用研究方法及主要失效机制;探讨了改善铜互连电迁移性能的各种方法,如铜合金、增加金属覆盖层及等离子体表面处理。最后,指出了铜互连可靠性研究中存在的问题。
关键词
铜
互连
电迁移
扩散路径
铜/介质覆盖层界面
Keywords
Cu interconnect
Electromigration
Mass transport path
Cu/dielectric cap interface
分类号
TN405.97 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
铜互连电迁移可靠性的研究进展
刘静
吴振宇
汪家友
杨银堂
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2007
7
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