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化学机械抛光技术现状与发展趋势
被引量:
10
1
作者
童志义
《电子工业专用设备》
2004年第6期1-6,共6页
概述了ITRS对铜互连工艺提出的要求及90~65nmCMP技术所面临的挑战,介绍了W熏STI熏Cu/低k材料CMP及其清洗和终点检测技术的发展现状,最后讨论了CMP技术的一些发展趋势。
关键词
CMP
浅沟道隔离
铜/低κ材料
清洗
终点检测
发展趋势
下载PDF
职称材料
题名
化学机械抛光技术现状与发展趋势
被引量:
10
1
作者
童志义
机构
中国电子科技集团第
出处
《电子工业专用设备》
2004年第6期1-6,共6页
文摘
概述了ITRS对铜互连工艺提出的要求及90~65nmCMP技术所面临的挑战,介绍了W熏STI熏Cu/低k材料CMP及其清洗和终点检测技术的发展现状,最后讨论了CMP技术的一些发展趋势。
关键词
CMP
浅沟道隔离
铜/低κ材料
清洗
终点检测
发展趋势
Keywords
CMP
STI
Cu/low k Dielectric Film
Cleaning
End Detection
Tendency
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
化学机械抛光技术现状与发展趋势
童志义
《电子工业专用设备》
2004
10
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