塑封集成电路中铜丝键合的腐蚀及其评价

腐蚀是影响塑封集成电路铜丝键合可靠性的重要因素,其与湿度、温度、Cl离子摩尔分数以及电位密切相关。针对NiPdAgAu预镀框架与纯铜丝第二键合点的腐蚀失效现象,研究其评价方法,并通过实际工况分析采用不同浓度的NaCl溶液进行预处理以及电位对腐蚀结果的影响。将样品置于质量分数分别为0.5%、2.0%与5.0%的NaCl溶液中,对其进行高温、高湿预处理24 h,再进行96 h的高加速应力试验。结果表明,采用质量分数为5.0%的NaCl溶液进行预处理对加速腐蚀更有效,且腐蚀的键合点多数位于低电位引脚,少数位于高电位引脚。

塑封铜丝键合器件失效机理及其可靠性评价

铜丝键合器件因其在成本、导电和导热性能等方面的优势而得到了广泛的应用。但与此同时,它在实际应用中所暴露出的问题也不断地引起了人们的重视,铜丝键合器件的失效机理及其可靠性评价方法的研究成为了一项重要的课题。从总结铜丝的材料特性出发,结合塑封工艺过程及其关键环节,总结了塑封铜丝键合器件的主要失效机理,并给出了一些典型的失效案例,提出了一种铜丝键合工艺质量评价与环境耐久性试验评价相结合的塑封铜丝键合器件的可靠性评价方法。对于分析和改进铜丝键合工艺,以及铜丝键合器件的物料选型和使用防护等都具有重要的意义。

铜丝键合塑封器件开封方法的改进研究

通过分析塑封器件的开封过程中使用传统的化学开封方法的关键过程和制约因素,并进行了相应的改进,设计出一种将激光烧蚀和化学腐蚀相结合的铜丝键合塑封器件的开封方法;通过在不同的开封温度和浓酸配比条件下进行效果对比,总结出该方法开封铜丝器件的关键因素和推荐参数,对开封铜丝键合器件具有一定的指导作用。

对使用铜丝键合的功率MOSFET进行失效分析

由于铜丝键合可以替代金键合,价格又便宜,正在被越来越多地应用到微电子元器件当中。目前的情况表明铜是可行的替代品,但是证明其可靠性还需要采用针对铜丝键合工艺的新型失效分析(FA)技术。在本文中,我们将讨论一些专门为使用铜丝技术的元器件而开发的新型失效分析技术和工序。我们会将解释为什么铜丝的处理方式和金丝不一样,并且以功率MOSFET器件为例,循序渐进地了解失效分析的过程,保存对失效器件进行有效分析所需要的所有证据。

探究功率晶体管封装中铜丝键合工艺的可靠性

铜丝键合具有制造成本低廉、物理性能、热学性能高等优势,在半导体大功率晶体管行业中被广泛应用。文中将对铜丝材质与其他金属材质进行对比,分析铜丝键合工艺的可靠性。

铜丝键合技术研究及市场趋势综述

集成电路芯片的内部互联主要使用键合技术。本文简要介绍了集成电路封装的三种键合方式及其原理;对目前广泛使用的键合金丝、键合铝丝、键合铜丝的性能进行了分析和对比,突出了键合铜丝替代传统键合材料的优势,并对改进的镀钯键合铜丝进行了介绍;最后从政策、供求等方面对键合铜丝的市场发展趋势进行了分析。

键合铜丝的研究及应用现状

目前,键合铜丝因其价格低廉、具有优良的材料性能等特点正逐渐替代键合金丝广泛应用于电子封装领域。本文对当前市场上应用的金丝、铜丝、银丝及铝丝性能特点进行了分析对比,探讨了以键合铜丝替代传统键合丝材料的优势;简要介绍了铜丝材制备和键合过程的研究进展,并对键合铜丝的封装失效形式进行了简要分析;综述了微合金化对键合铜丝服役性能的影响规律及机理;最后从市场需求及理论研究方面分析了键合铜丝市场的发展趋势。

镀钯铜丝芯片键合工艺控制和可靠性研究

随着金价的不断上升,集成电路封装成本越来越高。为此,集成电路封装厂商纷纷推出铜线键合来取代金丝键合,以缓解封装成本压力。但是纯铜丝非常容易氧化,为了提高键合生产效率及产品可靠性,目前封装厂商主要采用镀钯铜丝作为键合丝。对集成电路镀钯铜丝键合生产技术和工艺控制方法进行了探讨,并和金丝及纯铜丝工艺控制进行了比较分析。对镀钯铜丝键合工艺主要失效模式进行了介绍和说明,并就弹坑检测试验方法进行了比较分析和总结。特别是对特殊产品的弹坑检测试验如何才能确保结果准确,进行了实例分析。

从专利文献看键合铜丝的发展

随着当今微电子器件日趋小型化、高性能化的特点以及国家节能减排、降本增效的发展要求,键合铜丝将逐步取代键合金丝成为微电子封装用主流键合材料。本文根据键合铜丝专利文献综述了键合铜丝的发展现状,介绍了键合铜丝的微合金化研究动向,指出键合铜丝的研究重点是通过最佳微合金元素设计和微合金化工艺控制来提高铜丝的强度、键合性能与可靠性。

半导体封装用键合铜丝技术

根据当今微电子器件日趋小型化、高性能化的特点以及国家节能减排、降本增效的发展要求,键合铜丝将逐步取代键合金丝成为微电子封装用主流键合材料。就键合铜丝领域而言,其技术改进主要包括在键合铜丝中添加微量元素和在键合铜丝表面设置涂层2个方面,该文主要对这2个方面的技术进行综述。

镀钯键合铜丝的发展趋势

铜丝表面镀钯是提高抗氧化性进而改善键合性能的有效手段。镀钯键合铜丝具有优异的综合性能,是半导体封装材料连接导线的新型材料。综述了镀钯键合铜丝国内外的发展现状、研究背景、镀钯工艺及金丝、铜丝和镀钯铜丝的比较。

微电子封装用主流键合铜丝半导体封装技术

微电子工业对于产品可靠性和材料成本的需求促使键合铜丝取代金丝成为半导体封装时应用的主流材料,在设备和技术工艺优化发展的前提下,键合铜丝技术由DIP等低端产品推广至QFN、小间距焊盘等高端产品领域,这也提升了半导体封装企业对铜丝性能和键合工艺的要求。本文对键合铜丝的性能优势与主要应用问题进行了论述,结合应用现状从使用微量元素、涂抹绝缘材料、优化超声工艺、改进火花放电工艺等几个方面提出了改善主流键合铜丝半导体封装技术应用效果的具体措施,以为相关生产单位提供参考指引。

铜及银键合丝材料的研究进展

为降低电子封装成本,铜及银键合丝正逐步取代键合金丝成为电子封装用的主流键合材料。根据铜及银键合丝专利等文献综述了这两大类新型键合丝的合金成分设计、制备工艺及发展现状,最后展望了其未来发展前景。

铜引线键合中影响焊球硬度因素的研究(英文)

铜丝球焊由于其经济优势和优越的电气性能近来得到了普及,然而,在引线键合工艺中用铜丝取代金丝面临着一些技术上的挑战。多年来,IC芯片焊盘结构已经逐步适应了金丝球焊。铜在本质上比金硬度高,因此以铜线取代金线便引出了有关硬度的问题。研究了用25.4μm铜丝球焊中与键合机参数有关的铜焊球硬度特性。采用电子打火系统不同的电流和打火时间设置,用5%氢气和95%氮气组成的惰性保护气体形成了一个典型的25.4μm大小的铜焊球,研究了维氏硬度的焊球。用实验设计建立了第一和第二键合参数,进行了无空气焊球基本数据调整。通过改变电子打火系统参数,对硬度特性进行了进一步的测试。典型的键合球的大小和厚度的第一键合响应证实铜键合球的生产实力与电子打火系统的电流和打火时间有关。

铜线SSB互联技术的难点及工艺控制

分析了引线框架封装中铜丝键合的SSB (Stand-off Stitch Bond)互联的各种技术难点,并研究和验证了解决方案。从芯片、制具、材料、工艺等方面,分析了芯片的表面质量、键合夹具、键合劈刀等对铜丝SSB工艺的关键影响。研究了不同保护气体下的无空气球(FAB)尺寸的稳定性和不同保护装置中FAB形状的稳定性,以及防止铜丝SSB键合焊盘损伤和控制“铝挤出”的技术。确定了SSB工艺控制的要点及改善方法,并通过试验证实了所述措施与方法的有效性。