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2.5D硅转接板关键电参数测试技术研究
被引量:
1
1
作者
刘玉奎
崔伟
+2 位作者
毛儒焱
孙士
殷万军
《微电子学》
CAS
北大核心
2021年第2期270-275,共6页
硅转接板是3D IC中实现高密度集成的关键模块,获取其技术参数对微系统的设计至关重要。以实际研制的一种2.5D硅转接板为研究对象,对大马士革铜布线(Cu-RDL)、硅通孔(TSV)关键电参数的测试结构与测试方法进行了研究,并对TSV电参数测试结...
硅转接板是3D IC中实现高密度集成的关键模块,获取其技术参数对微系统的设计至关重要。以实际研制的一种2.5D硅转接板为研究对象,对大马士革铜布线(Cu-RDL)、硅通孔(TSV)关键电参数的测试结构与测试方法进行了研究,并对TSV电参数测试结构的寄生电容进行了分析。研究结果表明,研制的2.5D硅转接板中10μm×80μm TSV的单孔电阻为26 mΩ,1.7μm厚度的Cu-RDL的方块电阻为9.4 mΩ/,测试结果与理论计算值相吻合。本研究工作为2.5D/3D集成工艺的研发和建模提供了基础技术支撑。
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关键词
2.5D硅转接板
铜再布线
硅通孔
电阻测试
3D集成电路
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职称材料
题名
2.5D硅转接板关键电参数测试技术研究
被引量:
1
1
作者
刘玉奎
崔伟
毛儒焱
孙士
殷万军
机构
中国电子科技集团公司第二十四研究所
模拟集成电路国家重点实验室
重庆西南集成电路设计有限责任公司
出处
《微电子学》
CAS
北大核心
2021年第2期270-275,共6页
基金
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(6142802190502)。
文摘
硅转接板是3D IC中实现高密度集成的关键模块,获取其技术参数对微系统的设计至关重要。以实际研制的一种2.5D硅转接板为研究对象,对大马士革铜布线(Cu-RDL)、硅通孔(TSV)关键电参数的测试结构与测试方法进行了研究,并对TSV电参数测试结构的寄生电容进行了分析。研究结果表明,研制的2.5D硅转接板中10μm×80μm TSV的单孔电阻为26 mΩ,1.7μm厚度的Cu-RDL的方块电阻为9.4 mΩ/,测试结果与理论计算值相吻合。本研究工作为2.5D/3D集成工艺的研发和建模提供了基础技术支撑。
关键词
2.5D硅转接板
铜再布线
硅通孔
电阻测试
3D集成电路
Keywords
2.5D silicon interposer
cooper redistribution layer
through silicon via
resistor measurement
3D IC
分类号
TN407 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
2.5D硅转接板关键电参数测试技术研究
刘玉奎
崔伟
毛儒焱
孙士
殷万军
《微电子学》
CAS
北大核心
2021
1
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职称材料
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