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题名在铁氧体材料上镀铜厚膜工艺及其性能的研究
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作者
黄天斌
徐成海
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机构
北京科技大学材料系
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出处
《真空电子技术》
1997年第6期23-25,22,共4页
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文摘
本文对在铁氧体材料上镀铜厚膜工艺及其性能进行了研究,通过研究找出了在铁氧体材料上镀铜厚膜的工艺条件与膜的性能的关系,从而确定出在铁氧体材料上镀铜厚膜的最佳工艺条件。在铁氧体材料上镀铜厚膜是一个新工艺,它对提高铁氧体移相器的性能将起到促进作用,对铁氧体移相器的加工技术将产生巨大变革。本论文实验采用了磁控溅射的方法来制作铜厚膜,独立地改变实验参数,得出了随各种实验参数变化的实验曲线。
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关键词
铁氧体
铜厚膜
磁控溅射
移相器
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Keywords
Ferrite
Cu thick film
Magnetron sputtering
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分类号
TN623.05
[电子电信—电路与系统]
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题名铜厚膜环行器的研制
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作者
戴宴平
侯国栋
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机构
机电部第十研究所
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出处
《电讯技术》
北大核心
1990年第6期1-4,共4页
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文摘
采用新型的在大气气氛中烧结的铜厚膜多层导电浆料,应用厚膜混合技术制作了2。2GHz和2.8GHz的环行器。其性能指标可与同类型采用薄膜贵金属制作的环行器相媲美,且工艺简单,成本低及生产周期短。
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关键词
微波集成电路
铜厚膜电路
环行器
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Keywords
MIC,Copper Thick Film Circuit,CirCulators
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分类号
TN91
[电子电信—通信与信息系统]
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题名烧结升温速率对铜厚膜微观结构和性能的影响
被引量:1
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作者
喻文志
朱晓云
彭帅
李伟力
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机构
昆明理工大学材料科学与工程学院
昆山万丰电子有限公司
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出处
《金属热处理》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第3期43-48,共6页
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基金
国家科技型中小企业创新基金(14C26215303257)
昆明理工大学人才培养基金(kk23201351006)
昆明理工大学分析测试基金(20150213)
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文摘
将自制的铜浆印刷在Al_2O_3陶瓷基片上,经烧结制备成铜厚膜,并利用扫描电子显微镜(SEM)和综合热分析仪(TG-DSC)分别研究了烧结过程中低温段(23~500℃)和高温段(500~850℃)的升温速率对铜厚膜微观结构和性能的影响。结果表明:在低温段,随着升温速率(30~90℃/min)的增加,铜厚膜的致密度和附着力先增大后减小,方阻先变小后变大。在高温段,随着升温速率(20~100℃/min)的增加,铜厚膜的致密度和附着力先增大后减小,方阻先变小后变大。低温段升温速率为75℃/min、高温段升温速率为60℃/min的条件下,制备的铜厚膜性能较优,致密度高、导电性好、附着力强。
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关键词
铜厚膜
升温速率
微观结构
附着力
导电性
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Keywords
copper film
heating rate
microstructure
adhesion
conductivity
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分类号
TG156
[金属学及工艺—热处理]
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