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在铁氧体材料上镀铜厚膜工艺及其性能的研究
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作者 黄天斌 徐成海 《真空电子技术》 1997年第6期23-25,22,共4页
本文对在铁氧体材料上镀铜厚膜工艺及其性能进行了研究,通过研究找出了在铁氧体材料上镀铜厚膜的工艺条件与膜的性能的关系,从而确定出在铁氧体材料上镀铜厚膜的最佳工艺条件。在铁氧体材料上镀铜厚膜是一个新工艺,它对提高铁氧体移... 本文对在铁氧体材料上镀铜厚膜工艺及其性能进行了研究,通过研究找出了在铁氧体材料上镀铜厚膜的工艺条件与膜的性能的关系,从而确定出在铁氧体材料上镀铜厚膜的最佳工艺条件。在铁氧体材料上镀铜厚膜是一个新工艺,它对提高铁氧体移相器的性能将起到促进作用,对铁氧体移相器的加工技术将产生巨大变革。本论文实验采用了磁控溅射的方法来制作铜厚膜,独立地改变实验参数,得出了随各种实验参数变化的实验曲线。 展开更多
关键词 铁氧体 铜厚膜 磁控溅射 移相器
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铜厚膜环行器的研制
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作者 戴宴平 侯国栋 《电讯技术》 北大核心 1990年第6期1-4,共4页
采用新型的在大气气氛中烧结的铜厚膜多层导电浆料,应用厚膜混合技术制作了2。2GHz和2.8GHz的环行器。其性能指标可与同类型采用薄膜贵金属制作的环行器相媲美,且工艺简单,成本低及生产周期短。
关键词 微波集成电路 铜厚膜电路 环行器
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烧结升温速率对铜厚膜微观结构和性能的影响 被引量:1
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作者 喻文志 朱晓云 +1 位作者 彭帅 李伟力 《金属热处理》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期43-48,共6页
将自制的铜浆印刷在Al_2O_3陶瓷基片上,经烧结制备成铜厚膜,并利用扫描电子显微镜(SEM)和综合热分析仪(TG-DSC)分别研究了烧结过程中低温段(23~500℃)和高温段(500~850℃)的升温速率对铜厚膜微观结构和性能的影响。结果表明:在低温段,... 将自制的铜浆印刷在Al_2O_3陶瓷基片上,经烧结制备成铜厚膜,并利用扫描电子显微镜(SEM)和综合热分析仪(TG-DSC)分别研究了烧结过程中低温段(23~500℃)和高温段(500~850℃)的升温速率对铜厚膜微观结构和性能的影响。结果表明:在低温段,随着升温速率(30~90℃/min)的增加,铜厚膜的致密度和附着力先增大后减小,方阻先变小后变大。在高温段,随着升温速率(20~100℃/min)的增加,铜厚膜的致密度和附着力先增大后减小,方阻先变小后变大。低温段升温速率为75℃/min、高温段升温速率为60℃/min的条件下,制备的铜厚膜性能较优,致密度高、导电性好、附着力强。 展开更多
关键词 铜厚膜 升温速率 微观结构 附着力 导电性
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