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集成电路片内铜互连技术的发展 被引量:14
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作者 陈智涛 李瑞伟 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期239-241,共3页
论述了铜互连取代铝互连的主要考虑 ,介绍了铜及其合金的淀积、铜图形化方法、以及铜与低介电常数材料的集成等。综述了 ULSI片内铜互连技术的发展现状。
关键词 集成电路 互连 淀积 铜图形化
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