全碳化硅（SiC）模块技术

SiC器件等下世代功率半导体，具有高耐压、低损耗以及可高频、高温操作这些优越的特性。为了最大限度地发挥这些优势，开发了器件由铜插头连接、由环氧脂密封的新型功率模块结构。利用这一结构，提高了温度循环容限（cycle Tolerance）；利用银烧结材料，已确认在200℃下工作的高可靠性；而且对新结构特点的充分发挥，可实现模块的低电感设计。试制的全SiC模块，可使用于太阳能光伏发电的功率调节器（conditioner）提高效率并大幅度小型化。