4，5－二氮杂芴－9－十六亚胺单分子膜诱导下五水合硫酸铜晶体的定向生长

研究了在４，５二氮杂芴９十六亚胺（Ｌ）单分子膜诱导下五水合硫酸铜（ＣｕＳＯ４５Ｈ２Ｏ）晶体的定向生长。在Ｌ单分子膜的存在下，经膜界面的诱导成核，可得到定向排列、十分规则的ＣｕＳＯ４５Ｈ２Ｏ晶体，其外形与通常所得到的晶体不同。（０１０）晶面为其诱导面，在通常的水溶液中所得到晶体的主要晶面中，并无此特殊晶面。在这一定向生长过程中，膜和Ｃｕ２＋之间的作用，诸如离子作用、晶格匹配、立体化学识别等起了十分重要的影响。

铜晶体循环形变的取向和晶界效应

从本世纪50年代初开始,人们普遍认识到,不从微观水平上对疲劳的基本过程进行了解,不对整个疲劳过程及其各个阶段的本质进行系统的研究,就不可能有抗疲劳材料和抗疲劳安全设计的进一步发展。基于这种认识,近40年来,特别是七八十年代以来。

小角度晶界铜晶体的循环形变及饱和位错组态ECC观察

通过对具有小角度晶界的铜晶体进行循环变形，发现其循环饱和切应力在塑性切应变范围０．６—４．７×１０－３内基本不变（约为３０ＭＰａ）。采用电子通道衬度（ＥＣＣ）技术观察了其循环饱和时晶内、晶界及形变带附近的位错组态，发现在低应变幅下（γｐ１＝０．６×１０－３）晶内为驻留滑移带及脉络两相结构。随应变幅升高（γｐ１＞１．７×１０－３）驻留滑移带逐渐增多，最后形成规则的位错墙结构，并且位错墙连续穿过小角度晶界，在局部区域还发现小角度晶界两侧出现无位错区（ＤＦＺ）；

锗酸铜晶体压致非晶化的研究

锗酸铜晶体压致非晶化的研究蓝国样，李玉栋，徐勇卫（南开大学物理系天津３０００７１）Ｐｒｅｓｓｕｒｅ－ＩｎｄｕｃｃｄＡｍｏｒｐｈｉｚａｏｎｏｆＣｏｐｐｅｒＭｅｔａｇｅｒｍａｎａｔｅＣｒｙｓｔａｌ￥ＧｕｏｘｉａｎｇＬａｎ；ＹｕｄｏｎｇＬｉａｎｄＹｏｎｇｗ...

微生物去除加工晶体铜的表面质量实验研究

通过跟踪微生物去除加工两类不同晶粒尺寸纯铜的表面粗糙度和表面形貌的变化规律,研究了微生物去除加工表面的形成机理。结果表明,纯铜加工表面质量会随着微生物去除加工时间的增加而变差,晶粒粒度会对其微生物加工表面质量产生影响;不同的工件原始表面质量对微生物去除加工初始阶段的表面质量有明显影响;前期机械加工所形成的划痕会随着微生物去除加工而逐渐变小,当机械作用表面被去除后,影响微生物加工表面质量的主要因素是工件的晶界及亚晶界。

一种铜三晶体及双晶体的循环形变行为

对取自同一块晶体的铜三晶（Ｔｃ）和双晶（ＢＣ）试样进行了恒塑性应变幅控制对称拉压疲劳实验，轴向塑性应变幅范围１．０×１０(－４)≤ ≤ ４×１０(－３)。结果表明，在低应变幅下，三晶及双晶试样的初始循环硬化曲线几乎重合。在较高应变幅下，三晶试样的硬化曲线高于双晶试样的硬化曲线且随着应变幅的增加差距增大。三晶体的循环应力应变（ＣＳＳ）曲线明显高于双晶的ＣＳＳ曲线。不论对ＴＣ还是ＢＣ试样，当 １＜１．５×１０(－３)时，轴向饱和应力随着的增加而缓慢上升，而当＞１．５×１０(－３)时，轴向饱和应力则随着Ｅｐｌ的增加快速上升。两曲线都无明显的平台区出现．表面形貌观察表明，在低应变幅下，三晶交点（ＴＪ）对各晶粒的主滑移有阻碍作用，在高应变幅下，在三晶交点附近，由于各晶粒的应变不相容性而产生的内应力导致了多滑移系统的启动．上述力学结果同表面形貌观察相一致。另外，在＞７．０×１０(－４)情况下。

铜双晶体循环变形的晶界强化效应

用组合双晶体（CB）及实际双晶体（RB）研究了平行晶界在用双晶体循环变形过程中的强化作用结果表明随双晶体变小，其循环应力升高，晶界作用增强．扫描电镜观察发现晶界附近出现以次滑移为主的晶界影响区结合双晶体的循环应力-应交响应和晶界影响区，讨论了双晶体的晶界强化机制．

晶体铜微探针纳米刻划的分子动力学建模

分别从分子动力学基本原理、晶体铜原子结构建模和晶体缺陷分析三方面开展了晶体铜微探针纳米刻划的三维分子动力学建模研究。研究结果表明:在合理地选择分子动力学模拟参数的基础上,基于晶体结构、重位点阵和维诺图分别建立单晶铜、双晶铜和纳米晶体铜的原子结构模型,并结合先进的晶体缺陷分析技术,可为系统开展晶体铜微探针纳米刻划的分子动力学模拟提供技术保障。

晶体铜的表面能与表面张力

利用morse相互作用势,计算了原子作非简谐振动情况下晶体铜的热力学函数和表面能、表面张力;讨论了它的表面能、表面张力随温度变化的规律和非简谐振动对它们的影响.理论计算与经验公式的形式一致,与实验数值相近.

铜单晶体循环应力应变曲线的平台行为的取向效应

系统讨论和总结了单滑移、双滑移和多滑移取向铜单晶体在循环形变中呈现的不同平台行为分析结果表明，晶体取向强烈影响对滑移和多滑移铜晶体的循环形变行为，平台区的出现与否及平台应力的高低，不仅与位错反应模式和强度有关，还与不同取向晶体中的各个滑移手相对于晶体轴向的几何位置不同，从而造成不同的滑移形变特征密切相关一般说来，当形变主要以多滑移形变方式进行时，平台区消失.

镶嵌晶粒和晶界对铜双晶体循环变形行为的影响

比较了含镶嵌晶粒铜双晶体及其基体单晶体的循环变形行为，结果表明，双晶体的循环应力总是高于基体单晶体，结合表面滑移形貌和饱和位错组态，分别讨论了镶嵌晶粒和环绕晶界对双晶体循环变形行为的影响．

[011]多滑移取向铜单晶体的循环形变行为──Ⅱ.表面滑移特征及形变带

本文系统研究了[011]多滑移取向铜单晶体在不同塑性应变幅下循环饱和后的表面滑移特征.结果表明，[011]多滑移取向铜单晶体的疲劳极限低于[001]多滑移取向铜单晶体.当应变幅γpl≥2.5×10－3时，表面出现两种宏观形变带（DBI和DBII）；它们呈严格的正交关系，其形成可能与循环加载中产生的不可逆晶体旋转密切相关.当应变幅γpl≥5.0×10－3时，表面还出现DBIII形变带，其惯习面为（001）；

纳米晶体铜的制备及其结构表征

研究了纳米晶体铜材料的压制工艺条件对其相对密度和显微硬度的影响,并用正电子湮没寿命谱、扫描电镜和热重分析仪对其微观结构进行了表征。结果表明:压制压力越大,保压时间越长,样品的缺陷尺寸及数量减少,相对密度增加,显微硬度显著提高。随着压制压力的增大,缺陷类型的相对含量发生变化。而且纳米铜粉表面吸附的气体是纳米晶体铜样品内部缺陷的一个主要来源。

铟铈铜铌酸锂晶体光谱特性及抗光损伤能力

在铌酸锂LiNbO3(LN)中掺入0.1 mol%CeO2,0.1 mol%CuO和0.5 mol%、1 mol%和1.5 mol%In2O3,用Czochralski技术生长In:Ce:Cu:LN晶体。利用Avatar-360型FT-IR红外光谱仪测试了晶体的红外光谱,发现In(3 mol%):Ce:Cu:LN晶体的OH-吸收峰由LN的3 484 cm-1移到3 508 cm-1。利用WFZ-26A型紫外-可见光分光分度计测试了晶体的紫外可见光谱,发现当In掺量小于3 mol%时,随In掺量的增加,基础吸收边向短波方向移动,即发生紫移,在掺入量达到3 mol%时,基础吸收边红移。采用透射光斑畸变法测试了晶体的抗光损伤能力,结果表明:In(3 mol%):Ce:Cu:LN晶体的抗光损伤能力比其他样品明显增强,较Ce:Cu:LN晶体的抗光损伤能力高出两个数量级。探讨了In:Ce:Cu:LN晶体OH-吸收峰及基础吸收边移动和抗光致散射能力增强的机理。

[■12]双滑移取向铜单晶体的循环应变硬化及饱和

本文在塑性分切应变幅（γpl）为1．3×10-4－7．2×10-3范围内研究了双滑移取向铜单晶体的循环形变行为当γpl＜2×10-3，晶体的初始硬化速率θ0.2较低，几乎与应变幅大小无关。当γpl＞2×10-3，θ0．2随γpl的增加而显著增大． 晶体的循环应力－应变（CSS）曲线在5×10-4＜γpl＜4×10-3范围内呈现一个明显的平台，平台区的范围与单滑移晶体相比明显缩短，但平台区对应的饱和应力相近．和晶体虽然同处于标准取向三角形的001／边上．但其循环形变行为存在明显的差异，可归结为各个滑移系相对于晶体轴的几何位置不同。

晶体铜质异物眼内铜离子浓度与自由基代谢的实验研究

利用家兔晶体内铜异物动物模型测定不同时间角膜、房水、晶体、玻璃体铜离子浓度及丙二醛（ＭＤＡ）和超氧化物歧化酶（ＳＯＤ）含量。结果晶体内铜离子浓度和ＭＤＡ含量随病程进展呈上升趋势，ＳＯＤ活性逐渐下降，并导致异物周围晶体不同程度混浊；玻璃体在初期受到一定影响，１２天后恢复正常。表明晶体内铜异物可引起晶体内自由基代谢紊乱并导致晶体混浊，角膜、房水的自由基代谢亦有影响，对玻璃体影响不大。

铜三晶体的循环形变行为及位错组态

采用逐级增幅方法研究了［００１］同轴钢三晶体及一种非同轴取向平行三晶交线铜三晶体的循环形变行为，并观察了三晶交点和晶界附近的位错组态为了对比，也研究了两种取向三晶体的组元晶粒双晶体和单晶体试样的循环形变行为对于［００１］同轴取向平行三晶交线三晶体及其组元双晶体和单晶体，其循环硬化曲线几乎重合，其循环饱和应力应变曲线（ＣＳＳＣ）也相差不大，由于各滑移系之间的位错反应生成Ｌｏｍｅｒ－Ｃｏｔｔｒｅｌ锁，阻碍位错运动，所以三晶交线和晶界对轴向饱和应力几乎没有强化作用，对于［００１］取向晶体，在（００１）观察面上，可以看到很多较短的一段一段的位错墙结构，各段之间互不连通，这是各滑移系之间的位错反应强烈，生成不动的位错锁的结果，这也是三晶交线和晶界无明显强化作用的原因，对于非同轴取向钢三晶体及组元晶粒双晶体、单晶体的循环形变行为研究表明，只要是相同取向的晶粒，不论是单晶体、双晶体还是三晶体，位错组态基本相同，相同的位错组态对应相同的轴向应力，双晶体和三晶体的轴向饱和应力主要由各晶粒所占的体积分数决定，稍高于各晶粒轴向饱和应力按体积分数的加权平均对于非同轴三晶体和双晶体，在相同的应变幅下，相同的观察面和相同的晶界附近，滑?

铜双晶体及其组元单晶体循环变形行为的比较——Ⅱ.晶界附近形变特征的观察及分析

在铜双晶体(CB,RB)及其组元单晶体(G1,G2)循环应力-应变响应比较的基础上,观察了双晶体(CB,RB)及其组元单晶体循环变形后表面滑移形貌及疲劳裂纹萌生,结果表明实际双晶体RB晶界附近组元晶体G2中出现以次滑移为主的晶界影响区,且晶界影响区随应变幅增加而变宽.双晶体RB中疲劳裂纹首先沿晶界萌生,并且在晶界上观察到滑移台阶.讨论了晶界在循环变形中的作用.

[011]多滑移取向铜单晶体的循环形变行为──Ⅰ.循环应力-应变响应

本文在一个较宽的塑性应变幅范围（γpl=1.1×10-4-7．2×10-3）内研究了[011]多滑移取向铜单晶体的循环形变行为.结果表明，[011]晶体的循环形变行为明显不同于[011]和[111]多滑移取向的铜单晶体.[011]晶体具有较低的初始硬化速率，即使在较高的塑性应变幅下，初始硬化速率也无明显变化.［011］晶体的循环应力-应变曲线（CSSC）在所研究的塑性应变幅范围内呈现平台区.CSSC上是否存在平台区，主要由晶体本身的滑移特点和相应的位错反应所决定.

铜双晶体的循环应力-应变响应

比较了铜单晶体和多晶体疲劳行为的异同，提出了研究双晶体疲劳行为的必要性．总结了具有不同晶体取向和晶界的铜双晶体的疲劳行为的最新进展．利用平行晶界铜双晶体的取向因子和晶界影响区，总结了在循环载荷作用下的晶界强化模型．分析了垂直晶界铜双晶体循环塑性变形行为的特点，讨论了组元晶体取向对垂直晶界铜双晶体循环应力－应变曲线的影响．提出了提高单晶体和双晶体疲劳强度的控制因素．