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离子束辅助淀积下Cu/Si系统相变研究
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作者 张楠 邱安平 《哈尔滨理工大学学报》 CAS 2001年第4期75-77,共3页
研究在离子束条件下硅基底上淀积金属薄膜及其界面结构在退火条件下金属硅化物的形成和变化特点，即１５ｋｅＶ的Ａｒ＋在ＩＢＡＤ条件下直接生成Ｃｕ１５Ｓｉ４相．ＩＢＡＤ复合薄膜样品在退火前无新相生成，而退火后形成ε相，不同于... 研究在离子束条件下硅基底上淀积金属薄膜及其界面结构在退火条件下金属硅化物的形成和变化特点，即１５ｋｅＶ的Ａｒ＋在ＩＢＡＤ条件下直接生成Ｃｕ１５Ｓｉ４相．ＩＢＡＤ复合薄膜样品在退火前无新相生成，而退火后形成ε相，不同于通常Ｃｕ－Ｓｉ退火反应生成ε相的相序．研究证明在Ｃｕ－Ｓｉ界面退火反应系统中，ε相的成核是得到稳定相结构的关键． 展开更多
关键词 金属硅化物 相变 金属薄膜 铜硅界面退火反应 离子束辅助沉积 真空镀膜
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