T2紫铜在静态人造海水中的腐蚀行为

目前,对铜及铜合金在海洋环境中的腐蚀与防护有一定研究,但利用铜合金溶出铜离子应用于海洋防污的报道较少。以T2紫铜为研究对象,采用电化学工作站、ICP原子发射光谱分析仪、扫描电镜(SEM)与能谱仪(EDS)研究了T2紫铜在30℃静态人造海水中浸泡不同时长的铜离子释放速率及其腐蚀行为。结果表明:T2紫铜在30℃静态人造海水中的腐蚀速率与铜离子释放速率随着浸泡时间的延长呈现先迅速增大而后减小并逐渐趋于稳定的趋势;T2紫铜在静态人造海水中浸泡72~144 h内的铜离子释放速率能达到抑制藤壶附着的最低值10μg/(cm^2·d),随着浸泡时间的延长,T2紫铜浸泡144 h后的铜离子释放速率不能满足抑制藤壶附着的海洋防污要求;T2紫铜在静态人造海水中的腐蚀产物中包含Cu、O、Cl这3种元素。

T2/TC4在静态人造海水中的电偶腐蚀行为

进行T2/TC4电偶对在静态人造海水中的电偶腐蚀实验,通过电化学工作站、原子发射光谱分析仪、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)研究T2/TC4在静态人造海水中电偶腐蚀时的铜离子释放速率与腐蚀行为。结果表明:当T2/TC4发生电偶腐蚀时反应强烈,T2为电偶对阳极发生加速腐蚀,TC4为电偶对阴极;与T2自腐蚀相比,T2/TC4电偶腐蚀的铜离子释放速率提高了数十倍,可以维持在160μg/(cm^2·d)左右,能达到抑制大多数海洋生物附着的海洋防污要求;T2自腐蚀的腐蚀产物以Cu_2O为主,与TC4电偶腐蚀后的T2试样表面无腐蚀产物覆盖。