铜箔绕组损耗的分析

本文给出了一个简单的方法，用于估算包括二维（2-D）边缘效应在内的磁性绕组的ac损耗。虽然已提出一维（1-D）分析法用于估算导线绕组的绕组损耗，但是，因2-D边缘效应而引起的附加ac损耗非常显著，而不能用已提出的1-D方法预测。本文提出的方法是，基于引用一组1-D分析结果的校正系数来说明2-D边缘效应。本文还将用有限单元分析法（FEA's）验证所获得的结果。

高频铜箔绕组中的最佳气隙设计

由于趋肤、邻近、边缘以及其它交流效应，在变压器和电感器绕组中通常会引起高频交流损耗。此外，线组结构会大大地影响绕组内损耗的分布。通常在磁性器件的磁心中设置的气隙，以维持高的磁动势（ｍｍｆ）。由于边缘场会引起绕组附加的交流损耗，因此务必注意减少附加损耗。本文将研究气隙设计对所引起损耗的影响。特别是将研究并估算三种气隙的设计，即集总气隙、离散分敢隙和均匀分布气隙。

估算包括二维边缘效应的绕组损耗的简单方法

本文给出了一个简单的方法，用于估算包括二维（２－Ｄ）边缘效应在内的磁性绕组的ａｃ损耗。虽然已提出一维（１－Ｄ）分析法用于估算导线绕组的绕组损耗，但是，因２－Ｄ边缘效应而引起的附加ａｃ损耗非常显著，而不能用已提出的１－Ｄ方法预测。本文提出的方法是，基于引用一组１－Ｄ分析结果的校正系数来说明２－Ｄ边缘效应。本文还将用有限单元分析法（ＦＥＡ’ｓ）验证所获得的结果。

基于边缘效应的绕组损耗估算

文章提出了-种简单的方法，给出了包括二维（2-D）边缘效应在内的绕组交流（ac）损耗的估算方法。文章首先叙述用-维（1-D）分析法估算线绕绕组的损耗。然而，因为二维（2-D）边缘效应引起的附加绕组损耗非常明显，但又不能用1-D方法分析估算，故本文在1-D分析方法的基础上建立起了-组用1—D分析结果作校正系数的2-D边缘效应估算法。文章还采用有限元分析（FEA）法验证了所估算的结果。