SOI基上制备CuO纳米线

在SOI基上制备光电纳米器件具有良好的光电集成应用前景,通过铜膜生长法在 SOI 基上制备了形貌为类针状的 Cu（OH）2前驱体纳米线,并采用热处理法600℃条件下成功制备了 CuO 纳米线。通过扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）、X 射线衍射测试（XRD）对样品结构、形貌进行了表征。 SEM、TEM测试结果表明,Cu（OH）2前驱体纳米线结构一致,尺寸均匀,表面光滑。在 Cu（OH）2前驱体纳米线上二次生长的CuO 纳米线具有类蒲草状细长光滑的结构, CuO纳米线直径约为80-100 nm,长度约为10μm, CuO 纳米线结晶性良好。