不同超薄铜箔制作精细线路的研究——针对MSAP工艺

随着物联网时代＆即时顾客定制化时代的到来，系统级封装（SIP，system in package）很好地解决了集成电路产业面临到的矛盾：可以用较低的成本进一步实现集成技术的提升，所以系统级封装被认为是下一代封装技术的主流。近两年随着智能手机大量采用SIP系统模组：BGA的封装ball pitch进一步缩小到0．35mm或0．30mm，原有HDI的布线密度己无法满足要求，必须采用30μm／30μm的布线密度才能实现，这种线路采用掩蔽工艺无法实现，必须采用MSAP（modified semi-additive process）工艺。文章针对MSAP（modified semi-additive process）工艺采用不同的超薄铜箔试验细线路制作能力：即便超薄铜箔厚度只差2μm-3μm，制作线路级别也有很大的差别。经过试验，结合电迁移老化的可靠性测试和不同线路级别的线宽公差来看：2μm薄铜箔可以实现30μm／30μm线路制作，而5μm只能实现45μm／45μm的线路制作，接近现有tenting工艺的制作水平。这意味着．对于MSAP（modified semiadditive process）而言，精度控制等级会进一步提升且需要严格控制，否则，失之毫厘则谬以千里。