Gd_2CuO_4薄膜与Si,SiO_2/Si基底界面相互作用研究

采用 XRD和俄歇电子能谱 ( AES)等技术研究了钙钛矿型 Gd2 Cu O4薄膜与基底 Si和 Si O2 /Si的界面相互作用 ,发现衬底对 Gd2 Cu O4薄膜的晶化特性有很大影响 .以单晶 Si为基底时 ,Gd2 Cu O4薄膜经 60 0℃热处理 1 h即可形成钙钛矿型晶体结构 ,而以 Si O2 /Si为基底时 ,经 70 0℃热处理 1 h才能形成较完善的钙钛矿型晶体结构 .Gd2 Cu O4薄膜的晶粒度随热处理温度的升高而增大 ,热处理时间对晶粒度则影响较小 .AES深度剖析表明 ,形成的薄膜组成均匀 ,在界面上有一定程度的扩散 .以 Si为基底时 ,Gd2 Cu O4与基底Si相互扩散 ,以 Si O2 /Si为基底时则主要是薄膜中 Gd,Cu向 Si O2 层中的扩散 .AES线性分析表明 ,在薄膜与基底的界面上 ,各元素的俄歇电子动能发生位移 。