离子束溅射铜钨薄膜的结构

为了进一步探讨离子束溅射铜钨薄膜的结构,在铁片上离子束溅射铜钨薄膜,研究了轰击离子束能量及低能辅助轰击方式对薄膜相结构和厚度的影响。结果表明:随轰击铜靶离子束能量增加,钨由近似非晶亚稳态转变成晶态;由于溅射粒子落到基片前的反射效应,薄膜中间比边缘薄,且随轰击铜靶离子束能量增加,薄膜变薄到一定程度时开始增厚;当使用低能辅助轰击时,原子喷丸效应使薄膜难以沉积。

铜-钨(钼)薄膜制备及应用的研究进展

介绍了近年来铜-钨(钼)薄膜涂层的制备方法,包括溅射沉积法、离子束辅助沉积法、离子束混合法、电子束蒸发法。重点介绍了溅射法中的磁控溅射法和离子束溅射沉积法,分析了薄膜的结构特征及其在固体润滑剂、电子设备、表面修饰材料等领域的应用,并展望了未来的研究方向和应用前景,指出制备散热材料是未来铜-钨(钼)薄膜研究的主流方向。

Ar^+及沉积气压对离子溅射制备铜钨复合膜结构的影响

研究双离子束溅射组装铜钨复合膜Ar+能量及束流对膜影响。用XRD分析溅射沉积后的薄膜结构。实验结果表明,随靶Ar+能量和束流增加,铜钨膜向晶态化转变。铜钨复合膜的沉积速率主要由钨靶Ar+束流决定,并且增加气压会使复合膜晶粒尺寸变小,固溶进钨的铜原子也会相应减少。

磁控溅射Cu-W薄膜的组织与结构

采用双靶磁控溅射共沉积方法制备Cu-W薄膜,其微观结构及形貌通过XRD、TEM和SEM方法测试,结果表明,Cu-W薄膜是由Cu固溶于W或W固溶于Cu的亚稳态固溶体组成,且随着W含量的增加,Cu-W薄膜依次形成面心立方fcc结构的Cu基亚稳固溶体f、cc和bcc结构固溶体的双相区以及体心立方bcc结构的W基亚稳固溶体,晶粒尺寸随溶质原子含量的增加而减小。这些亚稳固溶体的形成是由于溅射出的原子动能足以克服Cu、W固溶所需的混合热,以及溅射过程中粒子的纳米化和成膜过程中引入的大量缺陷造成的。

Cu-W薄膜表面形貌的分形表征与电阻率

磁控溅射制备铜钨薄膜 ,用原子力显微镜和功率谱密度法分析薄膜生长表面形貌的分形维数 ,发现频段的选择基本不影响分形维数与溅射时间的关系 .随溅射时间延长 ,薄膜厚度增加 ,分形维数增大 ,电阻率随分形维数的增大而升高 .分析分形维数与电阻率的关系 ,认为对同一物质的导电薄膜 。

基于小波变换Cu-W薄膜表面形貌表征与硬度值分散性评价

提出了一种基于小波变换描述薄膜表面形貌的方法 .运用离散小波变换法研究磁控溅射Cu W薄膜表面特征随溅射时间的演变 .结果表明 ,Cu W薄膜在溅射时间超过 6 0 0s时才达到稳定 .不同薄膜表面形貌的变化主要是由高频部分引起 .薄膜的粗糙表面会引起纳米压入硬度值的分散 ,这种分散性可用基于小波变换的薄膜表面形貌多尺度分解评价 .