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ULSI多层铜布线钽阻挡层及其CMP抛光液的优化
被引量:
4
1
作者
刘玉岭
邢哲
+2 位作者
檀柏梅
王新
李薇薇
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第7期18-20,34,共4页
分析了铜多层布线中阻挡层的选取问题,根据铜钽在氧化剂存在的情况下,抛光速率对pH值的不同变化趋势,提出优化碱性抛光液配比进而改变pH值,以达到铜钽抛光一致性的方法,并进行了相应的实验研究。
关键词
化学机械
抛光
抛光
液
CMP
多层布线
ULSI
铜钽抛光
下载PDF
职称材料
题名
ULSI多层铜布线钽阻挡层及其CMP抛光液的优化
被引量:
4
1
作者
刘玉岭
邢哲
檀柏梅
王新
李薇薇
机构
河北工业大学微电子研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第7期18-20,34,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(60176033)
河北自然科学基金资助项目(502029)
文摘
分析了铜多层布线中阻挡层的选取问题,根据铜钽在氧化剂存在的情况下,抛光速率对pH值的不同变化趋势,提出优化碱性抛光液配比进而改变pH值,以达到铜钽抛光一致性的方法,并进行了相应的实验研究。
关键词
化学机械
抛光
抛光
液
CMP
多层布线
ULSI
铜钽抛光
Keywords
CMP
slurry
multilevel metallization
barrier layer
selectivity
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ULSI多层铜布线钽阻挡层及其CMP抛光液的优化
刘玉岭
邢哲
檀柏梅
王新
李薇薇
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004
4
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