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ULSI多层铜布线钽阻挡层及其CMP抛光液的优化 被引量:4
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作者 刘玉岭 邢哲 +2 位作者 檀柏梅 王新 李薇薇 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第7期18-20,34,共4页
分析了铜多层布线中阻挡层的选取问题,根据铜钽在氧化剂存在的情况下,抛光速率对pH值的不同变化趋势,提出优化碱性抛光液配比进而改变pH值,以达到铜钽抛光一致性的方法,并进行了相应的实验研究。
关键词 化学机械抛光 抛光 CMP 多层布线 ULSI 铜钽抛光
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