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钝化剂自组装单层膜在铜铜键合工艺中的应用
1
作者
独莉
廖广兰
+2 位作者
张昆
宿磊
薛栋民
《半导体光电》
CSCD
北大核心
2014年第5期820-823,共4页
解决铜铜键合工艺中的铜氧化问题对于三维集成技术具有重要意义。选用1-己硫醇做临时钝化剂,通过自组装形式形成单层膜附着于铜表面,以防止铜在存放时与空气接触而发生氧化,键合前再使用乙醇等有机溶剂去除该单层膜。为了评估1-己硫醇...
解决铜铜键合工艺中的铜氧化问题对于三维集成技术具有重要意义。选用1-己硫醇做临时钝化剂,通过自组装形式形成单层膜附着于铜表面,以防止铜在存放时与空气接触而发生氧化,键合前再使用乙醇等有机溶剂去除该单层膜。为了评估1-己硫醇的钝化效果,采用接触角作为主要指标对实验结果进行评价。研究表明,样片表面经过1-己硫醇处理后,接触角极大增加,并在空气中长时间保持稳定,说明1-己硫醇具有良好的钝化效果,采用此方法得到了高质量的铜铜热压键合样片。
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关键词
铜铜键合
1-己硫醇
自组装单层膜
钝化
接触角
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职称材料
裸铜框架铜线键合封装技术研究
2
作者
温莉珺
《电子工业专用设备》
2017年第4期5-7,49,共4页
对裸铜框架铜线键合封装的关键工艺进行了系统研究,通过选择合适的裸铜框架、分段烘烤方式、全密封轨道焊线机防氧化以及工序间时间间隔控制,实现铜-铜键合关键技术,这一研究结果为更多封装形式的裸铜框架实现铜线键合提供技术指导。
关键词
裸
铜
框架
氧化
铜
-
铜
键
合
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职称材料
在图像传感器和存储产品中应用硅通孔工艺的300mm光刻与键合技术(英文)
3
作者
Margarete Zoberbier
Stefan Lutter
+2 位作者
Marc Hennemeyer
Dr.-Ing. Barbara Neubert
Ralph Zoberbier
《电子工业专用设备》
2009年第6期29-35,共7页
三维集成的技术优势正在延伸到大量销售的诸如消费类电子设备潜在应用的产品领域。这些新技术也在推进着当前许多生产工艺的包封能力,其中包括光刻工艺和晶圆键合。> 还需要涂胶,形成图形和刻蚀图形结构。研究了一些用于三维封装的...
三维集成的技术优势正在延伸到大量销售的诸如消费类电子设备潜在应用的产品领域。这些新技术也在推进着当前许多生产工艺的包封能力,其中包括光刻工艺和晶圆键合。> 还需要涂胶,形成图形和刻蚀图形结构。研究了一些用于三维封装的光刻和晶圆键合技术问题并将叙述全部的挑战和适用的解决方案。技术方面的处理结果将通过晶圆键合和光刻工序一起讨论。
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关键词
三维集成
硅通孔技术(TSV)
圆片级封装
键
合
对准
硅熔焊
铜
-
铜
键
合
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职称材料
题名
钝化剂自组装单层膜在铜铜键合工艺中的应用
1
作者
独莉
廖广兰
张昆
宿磊
薛栋民
机构
华中科技大学数字制造装备与技术国家重点实验室
出处
《半导体光电》
CSCD
北大核心
2014年第5期820-823,共4页
基金
国家"973"计划项目(2009CB724204)
文摘
解决铜铜键合工艺中的铜氧化问题对于三维集成技术具有重要意义。选用1-己硫醇做临时钝化剂,通过自组装形式形成单层膜附着于铜表面,以防止铜在存放时与空气接触而发生氧化,键合前再使用乙醇等有机溶剂去除该单层膜。为了评估1-己硫醇的钝化效果,采用接触角作为主要指标对实验结果进行评价。研究表明,样片表面经过1-己硫醇处理后,接触角极大增加,并在空气中长时间保持稳定,说明1-己硫醇具有良好的钝化效果,采用此方法得到了高质量的铜铜热压键合样片。
关键词
铜铜键合
1-己硫醇
自组装单层膜
钝化
接触角
Keywords
Cu-Cu bonding
1-hexanethiol
self-assembled monolayer
passivation
contact angle
分类号
TN304.5 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
裸铜框架铜线键合封装技术研究
2
作者
温莉珺
机构
天水华天科技股份有限公司
出处
《电子工业专用设备》
2017年第4期5-7,49,共4页
文摘
对裸铜框架铜线键合封装的关键工艺进行了系统研究,通过选择合适的裸铜框架、分段烘烤方式、全密封轨道焊线机防氧化以及工序间时间间隔控制,实现铜-铜键合关键技术,这一研究结果为更多封装形式的裸铜框架实现铜线键合提供技术指导。
关键词
裸
铜
框架
氧化
铜
-
铜
键
合
Keywords
Bare-copper leadframes
Oxidation
Copper-copper bonding
分类号
TN405.97 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
在图像传感器和存储产品中应用硅通孔工艺的300mm光刻与键合技术(英文)
3
作者
Margarete Zoberbier
Stefan Lutter
Marc Hennemeyer
Dr.-Ing. Barbara Neubert
Ralph Zoberbier
机构
SUSS MicroTec Lithography
出处
《电子工业专用设备》
2009年第6期29-35,共7页
文摘
三维集成的技术优势正在延伸到大量销售的诸如消费类电子设备潜在应用的产品领域。这些新技术也在推进着当前许多生产工艺的包封能力,其中包括光刻工艺和晶圆键合。> 还需要涂胶,形成图形和刻蚀图形结构。研究了一些用于三维封装的光刻和晶圆键合技术问题并将叙述全部的挑战和适用的解决方案。技术方面的处理结果将通过晶圆键合和光刻工序一起讨论。
关键词
三维集成
硅通孔技术(TSV)
圆片级封装
键
合
对准
硅熔焊
铜
-
铜
键
合
Keywords
3-D Integration
Through Silicon Via (TSV)
WLP
Bond Alignment
Silicon Fusion Bond-ing
Copper-Copper Bonding
分类号
TN405.97 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
钝化剂自组装单层膜在铜铜键合工艺中的应用
独莉
廖广兰
张昆
宿磊
薛栋民
《半导体光电》
CSCD
北大核心
2014
0
下载PDF
职称材料
2
裸铜框架铜线键合封装技术研究
温莉珺
《电子工业专用设备》
2017
0
下载PDF
职称材料
3
在图像传感器和存储产品中应用硅通孔工艺的300mm光刻与键合技术(英文)
Margarete Zoberbier
Stefan Lutter
Marc Hennemeyer
Dr.-Ing. Barbara Neubert
Ralph Zoberbier
《电子工业专用设备》
2009
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
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