钝化剂自组装单层膜在铜铜键合工艺中的应用

解决铜铜键合工艺中的铜氧化问题对于三维集成技术具有重要意义。选用1-己硫醇做临时钝化剂,通过自组装形式形成单层膜附着于铜表面,以防止铜在存放时与空气接触而发生氧化,键合前再使用乙醇等有机溶剂去除该单层膜。为了评估1-己硫醇的钝化效果,采用接触角作为主要指标对实验结果进行评价。研究表明,样片表面经过1-己硫醇处理后,接触角极大增加,并在空气中长时间保持稳定,说明1-己硫醇具有良好的钝化效果,采用此方法得到了高质量的铜铜热压键合样片。

裸铜框架铜线键合封装技术研究

对裸铜框架铜线键合封装的关键工艺进行了系统研究,通过选择合适的裸铜框架、分段烘烤方式、全密封轨道焊线机防氧化以及工序间时间间隔控制,实现铜-铜键合关键技术,这一研究结果为更多封装形式的裸铜框架实现铜线键合提供技术指导。

在图像传感器和存储产品中应用硅通孔工艺的300mm光刻与键合技术(英文)

三维集成的技术优势正在延伸到大量销售的诸如消费类电子设备潜在应用的产品领域。这些新技术也在推进着当前许多生产工艺的包封能力,其中包括光刻工艺和晶圆键合。> 还需要涂胶,形成图形和刻蚀图形结构。研究了一些用于三维封装的光刻和晶圆键合技术问题并将叙述全部的挑战和适用的解决方案。技术方面的处理结果将通过晶圆键合和光刻工序一起讨论。