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H_2S硫化CuInSe_2生成CuIn(S_xSe_(1-x))_2薄膜的XRD及Raman分析
1
作者
张鑫狄
江国顺
《光谱实验室》
CAS
CSCD
2012年第1期9-15,共7页
将CuInSe_2薄膜在H_2S与Ar的混合气体中硫化是制备CuIn(S_xSe_(1-x))_2薄膜的一种常用方法。硫化所用到的CuInSe_2薄膜是用溶剂热法生成的CuInSe_2纳米颗粒旋涂而成。不同于其他真空条件下制备CuInSe_2薄膜的方法.溶剂热法的优点是其相...
将CuInSe_2薄膜在H_2S与Ar的混合气体中硫化是制备CuIn(S_xSe_(1-x))_2薄膜的一种常用方法。硫化所用到的CuInSe_2薄膜是用溶剂热法生成的CuInSe_2纳米颗粒旋涂而成。不同于其他真空条件下制备CuInSe_2薄膜的方法.溶剂热法的优点是其相对简单的制备工艺和较低廉的成本。对硫化过程进行研究后发现,硫化温度和时间直接影响CuIn(S_xSe_(1-x))_2薄膜的质量,诸如薄膜成分、结晶度、均匀性和带隙宽度都可以通过改变这些实验条件来进行控制。
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关键词
铜铟硒硫
溶剂热法
部分
硫
化
一步
硫
化法
原文传递
题名
H_2S硫化CuInSe_2生成CuIn(S_xSe_(1-x))_2薄膜的XRD及Raman分析
1
作者
张鑫狄
江国顺
机构
中国科学技术大学材料科学与工程系、中国科学院材料与能量转换重点实验室
出处
《光谱实验室》
CAS
CSCD
2012年第1期9-15,共7页
基金
安徽高校省级自然科学研究项目(KJ2010A332)
文摘
将CuInSe_2薄膜在H_2S与Ar的混合气体中硫化是制备CuIn(S_xSe_(1-x))_2薄膜的一种常用方法。硫化所用到的CuInSe_2薄膜是用溶剂热法生成的CuInSe_2纳米颗粒旋涂而成。不同于其他真空条件下制备CuInSe_2薄膜的方法.溶剂热法的优点是其相对简单的制备工艺和较低廉的成本。对硫化过程进行研究后发现,硫化温度和时间直接影响CuIn(S_xSe_(1-x))_2薄膜的质量,诸如薄膜成分、结晶度、均匀性和带隙宽度都可以通过改变这些实验条件来进行控制。
关键词
铜铟硒硫
溶剂热法
部分
硫
化
一步
硫
化法
Keywords
CuIn(S_xSe_(1-x))_2
Solvothermal Method
Partly Sulphurization
One-Step Sulphurization
分类号
O434.13 [机械工程—光学工程]
O657.37 [理学—分析化学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
H_2S硫化CuInSe_2生成CuIn(S_xSe_(1-x))_2薄膜的XRD及Raman分析
张鑫狄
江国顺
《光谱实验室》
CAS
CSCD
2012
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