铜-钨复合镀层电沉积工艺及其性能

采用复合电沉积的方法，通过在镀铜液中加入直径为1～3μm的钨颗粒，在纯铜表面制备了铜—钨复合镀层。研究了镀液中钨质量浓度、阴极电流密度、搅拌速率、镀液温度等工艺参数对镀层中钨质量分数的影响，测定了复合镀层的显微硬度和接触电阻。得到了复合电沉积的最优工艺为：钨质量浓度35g／L，电流密度4A／dm2，搅拌强度600r／min，温度50℃。所得铜—钨复合镀层具有合适的显微硬度（98．5—112．0HV）、稳定且较低的接触电阻及较长的电接触寿命，可以取代AgCdO触头。