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铜-钼源漏电极对非晶氧化铟镓锌薄膜晶体管性能的改善
被引量:
3
1
作者
宁洪龙
胡诗犇
+9 位作者
朱峰
姚日晖
徐苗
邹建华
陶洪
徐瑞霞
徐华
王磊
兰林锋
彭俊彪
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第12期65-71,共7页
在铜(Cu)和非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)之间插入30 nm厚的钼(Mo)接触层,制备了具有Cu-Mo源漏电极的a-IGZO薄膜晶体管(TFT).Mo接触层不仅能够抑制Cu与a-IGZO有源层之间的扩散,而且提高了Cu电极与玻璃基底以及栅极绝缘层的结合强度.制备的Cu...
在铜(Cu)和非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)之间插入30 nm厚的钼(Mo)接触层,制备了具有Cu-Mo源漏电极的a-IGZO薄膜晶体管(TFT).Mo接触层不仅能够抑制Cu与a-IGZO有源层之间的扩散,而且提高了Cu电极与玻璃基底以及栅极绝缘层的结合强度.制备的Cu-Mo结构TFT与纯Cu结构TFT相比,具有较高的迁移率(~9.26 cm2·V-1·s-1)、更短的电流传输长度(~0.2μm)、更低的接触电阻(~1072Ω)和有效接触电阻率(~1×10-4Ω·cm2),能够满足TFT阵列高导互联的要求.
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关键词
高导互联
非晶氧化铟镓锌
薄膜晶体管
铜-钼源漏电极
原文传递
题名
铜-钼源漏电极对非晶氧化铟镓锌薄膜晶体管性能的改善
被引量:
3
1
作者
宁洪龙
胡诗犇
朱峰
姚日晖
徐苗
邹建华
陶洪
徐瑞霞
徐华
王磊
兰林锋
彭俊彪
机构
华南理工大学材料科学与工程学院
新视界光电技术有限公司
中国科学院红外物理国家重点实验室
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第12期65-71,共7页
基金
广东省引进创新科研团队计划(批准号:201101C0105067115)
中国科学院红外物理国家重点实验室开放课题(批准号:M201406)
+2 种基金
国家自然科学基金(批准号:61036007,51173049,61306099,61401156,61204089)
中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:2014ZZ0028)
广州市科技计划(批准号:2013Y2-00114)资助的课题~~
文摘
在铜(Cu)和非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)之间插入30 nm厚的钼(Mo)接触层,制备了具有Cu-Mo源漏电极的a-IGZO薄膜晶体管(TFT).Mo接触层不仅能够抑制Cu与a-IGZO有源层之间的扩散,而且提高了Cu电极与玻璃基底以及栅极绝缘层的结合强度.制备的Cu-Mo结构TFT与纯Cu结构TFT相比,具有较高的迁移率(~9.26 cm2·V-1·s-1)、更短的电流传输长度(~0.2μm)、更低的接触电阻(~1072Ω)和有效接触电阻率(~1×10-4Ω·cm2),能够满足TFT阵列高导互联的要求.
关键词
高导互联
非晶氧化铟镓锌
薄膜晶体管
铜-钼源漏电极
Keywords
high conductivity interconnection, amorphous indium
-
gallium
-
zinc oxide, thin film transis
-
tor, Cu
-
Mo source/drain electrode
分类号
O484 [理学—固体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
铜-钼源漏电极对非晶氧化铟镓锌薄膜晶体管性能的改善
宁洪龙
胡诗犇
朱峰
姚日晖
徐苗
邹建华
陶洪
徐瑞霞
徐华
王磊
兰林锋
彭俊彪
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
3
原文传递
已选择
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