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立方织构Cu-Ni基带及缓冲层的研究
被引量:
3
1
作者
史锴
杨坚
+4 位作者
刘慧舟
胡广勇
舒勇华
王晓华
袁冠森
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第3期166-168,178,共4页
系统研究了Cu Ni合金基带和纯Ni基带的织构形成及转变规律 ,重复地获得了稳定的再结晶 { 0 0 1}<10 0 >立方织构。用表面氧化外延 (SOE)法生成了NiO(2 0 0 )薄膜。轧制总加工率、轧制道次和轧制方向对轧制织构的形成起主要作用 ;...
系统研究了Cu Ni合金基带和纯Ni基带的织构形成及转变规律 ,重复地获得了稳定的再结晶 { 0 0 1}<10 0 >立方织构。用表面氧化外延 (SOE)法生成了NiO(2 0 0 )薄膜。轧制总加工率、轧制道次和轧制方向对轧制织构的形成起主要作用 ;再结晶温度、时间是立方织构形成的主要影响因素。在获得了强立方织构Cu Ni合金基底上(其中Φ扫描曲线的半高宽 (FWHM)≤ 10°) ,通过SOE方法得到了取向良好NiO(2 0 0 )
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关键词
立方织构
Cu
-
Ni
基带
缓冲层
铜-镍基带
超导体材料
下载PDF
职称材料
题名
立方织构Cu-Ni基带及缓冲层的研究
被引量:
3
1
作者
史锴
杨坚
刘慧舟
胡广勇
舒勇华
王晓华
袁冠森
机构
北京有色金属研究总院
出处
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第3期166-168,178,共4页
基金
国家超导研究开发中心资助项目
国家重点基础研究专项资助项目 (G19990 64 60 5 )
文摘
系统研究了Cu Ni合金基带和纯Ni基带的织构形成及转变规律 ,重复地获得了稳定的再结晶 { 0 0 1}<10 0 >立方织构。用表面氧化外延 (SOE)法生成了NiO(2 0 0 )薄膜。轧制总加工率、轧制道次和轧制方向对轧制织构的形成起主要作用 ;再结晶温度、时间是立方织构形成的主要影响因素。在获得了强立方织构Cu Ni合金基底上(其中Φ扫描曲线的半高宽 (FWHM)≤ 10°) ,通过SOE方法得到了取向良好NiO(2 0 0 )
关键词
立方织构
Cu
-
Ni
基带
缓冲层
铜-镍基带
超导体材料
Keywords
Substrate, Cube texture, Surface oxidation epitaxy, Copper type, S component texture
分类号
TM26 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
立方织构Cu-Ni基带及缓冲层的研究
史锴
杨坚
刘慧舟
胡广勇
舒勇华
王晓华
袁冠森
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
3
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职称材料
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