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立方织构Cu-Ni基带及缓冲层的研究 被引量:3
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作者 史锴 杨坚 +4 位作者 刘慧舟 胡广勇 舒勇华 王晓华 袁冠森 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期166-168,178,共4页
系统研究了Cu Ni合金基带和纯Ni基带的织构形成及转变规律 ,重复地获得了稳定的再结晶 { 0 0 1}<10 0 >立方织构。用表面氧化外延 (SOE)法生成了NiO(2 0 0 )薄膜。轧制总加工率、轧制道次和轧制方向对轧制织构的形成起主要作用 ;... 系统研究了Cu Ni合金基带和纯Ni基带的织构形成及转变规律 ,重复地获得了稳定的再结晶 { 0 0 1}<10 0 >立方织构。用表面氧化外延 (SOE)法生成了NiO(2 0 0 )薄膜。轧制总加工率、轧制道次和轧制方向对轧制织构的形成起主要作用 ;再结晶温度、时间是立方织构形成的主要影响因素。在获得了强立方织构Cu Ni合金基底上(其中Φ扫描曲线的半高宽 (FWHM)≤ 10°) ,通过SOE方法得到了取向良好NiO(2 0 0 ) 展开更多
关键词 立方织构 Cu-Ni基带 缓冲层 铜-镍基带 超导体材料
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