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钽硅团簇电子输运性质的第一性原理研究 被引量:2
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作者 郑新亮 郑继明 +3 位作者 任兆玉 郭平 田进寿 白晋涛 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第8期5709-5715,共7页
利用基于密度泛函理论和非平衡格林函数的第一性原理方法,对位于两段半无限长铝导线之间的TaSi3团簇的电子输运性质进行了研究.研究表明:该团簇分子投影自洽哈密顿量的8态和9态决定着系统在小偏压下的输运特性.TaSi3团簇的平衡态电导对... 利用基于密度泛函理论和非平衡格林函数的第一性原理方法,对位于两段半无限长铝导线之间的TaSi3团簇的电子输运性质进行了研究.研究表明:该团簇分子投影自洽哈密顿量的8态和9态决定着系统在小偏压下的输运特性.TaSi3团簇的平衡态电导对团簇与电极间距离的变化十分敏感,当距离小于0.35nm时,平衡态电导随之剧烈的振荡;当距离大于0.35nm后,平衡态电导迅速减小.在-1—1V偏压下,团簇表现出一定的电压-电流非对称整流特性,在0.3—0.4V的偏压下,观察到了该团簇的负微分电导特性. 展开更多
关键词 铝/钽硅混合团簇/铝分子结 电子输运 密度泛函理论 非平衡格林函数
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