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互连线工艺中铝上窜至VIA的研究
1
作者
姜晨
刘恩峰
徐锋
《电子器件》
CAS
2007年第5期1580-1582,1586,共4页
讨论一种发生在铝互连线工艺中的较为少见的VIA(通孔)失效现象:淀积VIA氮化钛阻挡层后出现下层铝的上窜.通过对于失效的VIA进行失效分析,我们在VIA孔底部发现了一层变异的金属层.EDS成分分析显示它的主要成分是铝,并包含一些钛化铝的成...
讨论一种发生在铝互连线工艺中的较为少见的VIA(通孔)失效现象:淀积VIA氮化钛阻挡层后出现下层铝的上窜.通过对于失效的VIA进行失效分析,我们在VIA孔底部发现了一层变异的金属层.EDS成分分析显示它的主要成分是铝,并包含一些钛化铝的成分.这种VIA失效现象的根本成因是在淀积VIA氮化钛阻挡层时,下面金属层的铝被挤入至VIA孔导致VIA的主要填充成分钨无法顺利填入.
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关键词
通孔
铝上窜
氮化钛
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职称材料
题名
互连线工艺中铝上窜至VIA的研究
1
作者
姜晨
刘恩峰
徐锋
机构
上海交通大学微电子学院
中芯国际集成电路制造有限公司
出处
《电子器件》
CAS
2007年第5期1580-1582,1586,共4页
文摘
讨论一种发生在铝互连线工艺中的较为少见的VIA(通孔)失效现象:淀积VIA氮化钛阻挡层后出现下层铝的上窜.通过对于失效的VIA进行失效分析,我们在VIA孔底部发现了一层变异的金属层.EDS成分分析显示它的主要成分是铝,并包含一些钛化铝的成分.这种VIA失效现象的根本成因是在淀积VIA氮化钛阻挡层时,下面金属层的铝被挤入至VIA孔导致VIA的主要填充成分钨无法顺利填入.
关键词
通孔
铝上窜
氮化钛
Keywords
VIA
Al protrusion
CVD TiN
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
发文年
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操作
1
互连线工艺中铝上窜至VIA的研究
姜晨
刘恩峰
徐锋
《电子器件》
CAS
2007
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