磷铝吸杂在多晶硅太阳电池中的应用

研究了多晶硅的浓磷扩散吸杂、铝吸杂、磷 铝联合吸杂 (双面蒸铝 ) .采用准稳态光电导衰减法测试了吸杂前后多晶硅片的有效少数载流子寿命 ,发现磷 铝联合吸杂于硅片少子寿命的提高最大达 30 μs以上 ,其次是磷吸杂 ,铝吸杂再次之 .采用吸杂后的多晶硅片制备了 1cm× 1cm的太阳电池 ,与相同条件下未经吸杂制备的电池相比 ,发现三种吸杂方式都能提高电池的各项电学特性 ,其中磷 铝联合吸杂提高电池效率最大 ,达 4 0 %以上 ,最差为铝吸杂 ,只有 15 %左右的提高 ,这与吸杂后所测得的少子寿命的变化趋势一致 .实验说明三种吸杂方式在不同程度上促成了硅片界面晶格应力对重金属杂质的吸附作用 ,减少了载流子的复合中心 ,从而提高了有效少数载流子的寿命 ;而有效少数载流子的寿命直接影响到电池的效率 .

铝吸杂对多晶硅太阳电池的影响

针对铝吸杂对多晶硅的影响,比较了单、双面蒸镀2μm铝的多晶硅片在CTP和RTP炉中进行铝吸杂后的少子寿命、电性能和量子效率.发现在RTP炉中进行铝吸杂时,双面蒸镀铝少子寿命的增加比单面蒸镀时明显,在830℃时吸杂效果最优;而在CTP炉中吸杂时,单面蒸镀铝少子寿命的增加更明显,在600,700℃时吸杂效果最优.

多晶硅太阳电池的吸杂实验研究

文章简述了采用浓磷扩散吸杂 ,铝吸杂以及磷——铝共同吸杂等方法 ,对多晶硅进行了大量的实验研究结果表明 ,上述方法对我们实验所用的多晶硅材料做太阳电池 ,其电学特性没有显著的改善。

铸造多晶硅的吸杂

吸杂是减少多晶硅中有害金属杂质的一种有效手段.比较了在800℃、900℃和1 000℃条件下经2 h的磷吸杂、铝吸杂和磷铝共吸杂处理后的多晶硅少子寿命、电性能差异.实验结果表明,磷铝共吸杂少子寿命的增加比仅用磷、铝单独吸杂都明显,但3种吸杂方式对太阳电池电性能都没太大影响;同时发现退火到700℃的热处理并不能有效地改善磷吸杂效果.