屏电极结构对微通道板成像器间隙放电的影响

利用铝屏和氧化铟锡(ITO)屏两种结构的微通道板(MCP)成像器进行了放电实验,通过直流首击穿后器件的绝缘强度和电极熔蚀形貌变化,分析了屏电极结构对放电的影响。实验表明,铝屏MCP成像器首击穿后,铝膜电极出现如火山口状的熔蚀形貌,在10μs脉冲屏压下绝缘强度降低到3 kV/mm以下,绝缘强度与MCP无关。而ITO屏MCP成像器首击穿后,荧光质向MCP的质量迁移具有抑制阴极发射的作用,所以放电具有稳定的场发射特性,在10μs脉冲屏压下绝缘强度可达到9 kV/mm。分析表明,MCP成像器间隙放电的发展主要依赖于屏电极结构,ITO屏的电极结构有利于MCP成像器绝缘性能的提高。

铝球弹丸高速正撞击铝网防护屏破碎特性的数值模拟研究

采用LS-DYNA软件的光滑粒子算法,模拟铝球弹丸高速正撞击铝网防护屏,研究了弹丸撞击铝网防护屏破碎所形成的弹丸碎片云特性与弹丸撞击铝网位置的关系,分析了多层铝网防护屏叠加方式对弹丸撞击破碎的影响。结果表明,铝球弹丸撞击铝网防护屏所产生的碎片云形态随弹丸撞击位置的不同而不同,且弹丸碎片云前端出现触须状碎片簇,存在多处局部能量集中;弹丸撞击网丝交叉点时,弹丸碎片分布较均匀,碎片云主要扩展为薄膜状;多层铝网交错叠加时,弹丸碎片云扩散面积更大,剩余能量较小,有利于提高铝网防护屏的高速撞击防护能力。