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反应溅射法制备铝掺杂氧化锆薄膜及其热稳定性的研究
被引量:
3
1
作者
马春雨
李智
张庆瑜
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第6期1206-1210,共5页
采用反应射频磁控溅射在Si(100)基片上制备了不同微结构的铝掺杂氧化锆薄膜.利用高分辨透射电子显微镜、X射线衍射仪和原子力显微镜研究了退火温度对铝掺杂氧化锫薄膜热学稳定性、界面稳定性和表面粗糙度的影响,探讨了铝掺杂氧化锆薄膜...
采用反应射频磁控溅射在Si(100)基片上制备了不同微结构的铝掺杂氧化锆薄膜.利用高分辨透射电子显微镜、X射线衍射仪和原子力显微镜研究了退火温度对铝掺杂氧化锫薄膜热学稳定性、界面稳定性和表面粗糙度的影响,探讨了铝掺杂氧化锆薄膜的I-V特性与薄膜的微观状态之间的关系.研究结果显示:在铝掺杂氧化锆薄膜中掺入不同量的Al对薄膜的微结构有较大影响,随着薄膜中Al/Zr原子含量比的增大,薄膜微结构经历从α-ZrO_2(未掺杂)到t-(Zr,Al)O_2相和c-(Zr,Al)O_2相(Al/Zr=1/4)再到α-(Zr,Al)O_2(Al/Zr=4/5)的变化;与纯ZrO_2薄膜相比,Al掺杂氧化锫(Al/Zr=4/5)薄膜的结晶化温度明显提高,薄膜热学稳定性得到改善.
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关键词
薄膜
物理学
铝掺杂氧化锆薄膜
磁控溅射
热稳定性
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职称材料
题名
反应溅射法制备铝掺杂氧化锆薄膜及其热稳定性的研究
被引量:
3
1
作者
马春雨
李智
张庆瑜
机构
大连理工大学三束材料改性国家重点实验室
大连大学机械工程学院
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第6期1206-1210,共5页
基金
国家自然科学基金(10605009)
文摘
采用反应射频磁控溅射在Si(100)基片上制备了不同微结构的铝掺杂氧化锆薄膜.利用高分辨透射电子显微镜、X射线衍射仪和原子力显微镜研究了退火温度对铝掺杂氧化锫薄膜热学稳定性、界面稳定性和表面粗糙度的影响,探讨了铝掺杂氧化锆薄膜的I-V特性与薄膜的微观状态之间的关系.研究结果显示:在铝掺杂氧化锆薄膜中掺入不同量的Al对薄膜的微结构有较大影响,随着薄膜中Al/Zr原子含量比的增大,薄膜微结构经历从α-ZrO_2(未掺杂)到t-(Zr,Al)O_2相和c-(Zr,Al)O_2相(Al/Zr=1/4)再到α-(Zr,Al)O_2(Al/Zr=4/5)的变化;与纯ZrO_2薄膜相比,Al掺杂氧化锫(Al/Zr=4/5)薄膜的结晶化温度明显提高,薄膜热学稳定性得到改善.
关键词
薄膜
物理学
铝掺杂氧化锆薄膜
磁控溅射
热稳定性
Keywords
thin film physics
Al-doped ZrO2 thin film
magnetron sputtering
thermal stability
分类号
O484 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
反应溅射法制备铝掺杂氧化锆薄膜及其热稳定性的研究
马春雨
李智
张庆瑜
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
3
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职称材料
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