铝掺杂量对于铝锌氧薄膜晶体管的电学性能的影响

本文利用磁控溅射法在硅片上制备了不同铝掺杂量的铝锌氧薄膜晶体管,并研究了铝掺杂量对铝锌氧薄膜晶体管电学性能的影响,可以看出不同铝掺杂量对于薄膜晶体管电学性能存在影响,当Al掺杂功率为15 W时,薄膜晶体管开关比达到5.7×10^(5),亚阈值摆幅为3 V·dec^(-1),阈值电压3 V,迁移率1.6 cm^(2).(V·s)^(-1).

不同铝掺杂量ZnO薄膜性能的研究

以铝掺杂质量分数为1%、2%、3%的Zn/Al合金为靶材,采用直流反应磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了不同铝含量ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜。研究了衬底温度对AZO薄膜电学性能的影响;同时,研究铝掺杂量不同、电阻率相同的AZO薄膜的载流子浓度与迁移率的关系。结果表明:随着Al掺杂量的增加,薄膜最佳性能(透过率90%,电阻率6×10-4Ω·cm左右)时的衬底温度值会降低;电阻率相同的样品,1%铝掺杂的薄膜迁移率和透光率均高于2%铝掺杂薄膜的。