工艺条件对铝栅化学机械平坦化效果的影响

采用由2.5%(体积分数,下同)硅溶胶磨料、1.5%H2O2、0.5%FA/O型螯合剂和1.0%表面活性剂组成的抛光液对铝栅表面进行化学机械平坦化处理。研究了抛光垫、抛光压力、流量、抛光头转速、抛光垫转速以及抛光后清洗对铝栅表面粗糙度的影响。采用POLITEXTM REG抛光垫,在抛光压力1.5 psi,抛头转速60 r/min,抛光盘转速65 r/min,抛光液流量150 mL/min的条件下,对铝栅抛光后用自主研发的清洗剂清洗,铝栅表面粗糙度最低(2.8 nm),并且无划痕、腐蚀、颗粒残留等表面缺陷。

抛光液成分对铝栅化学机械抛光过程中铝去除速率的影响

在低工作压力(1 psi)和低磨料用量(纳米硅溶胶体积分数2.5%,后同)下,通过单因素实验探讨了碱性抛光液组分(包括氧化剂H_2O_2、FA/O型螯合剂和非离子型表面活性剂)含量对铝栅化学机械抛光过程中铝去除速率的影响,确定抛光液的组成为:氧化剂1.5%,螯合剂0.5%,表面活性剂1.0%。铝的去除速率为100 nm/min,抛光后的表面粗糙度为8.85 nm。

碱性条件下CMP参数对铝栅表面粗糙度的影响

铝栅化学机械平坦化(CMP)是实现高k介质/金属栅结构的关键技术,决定了芯片上器件性能的完整性、可靠性。针对铝的特性,以质量传递和温度传递理论作为依据,采用控制化学作用与机械作用相平衡的平坦化技术路线,研究碱性条件下铝栅化学机械抛光工艺参数对铝栅表面粗糙度的影响,以此确定铝栅粗抛过程的工艺参数。实验结果表明铝栅粗抛过程所需最优化工艺参数为:抛光头转速50 r/min,抛光液流量150 mL/min,抛光时间180 s,抛光机下压力3.0 psi(1 psi=6 895 Pa),此时原子力显微镜观察到的铝表面状态最好,表面粗糙度为2.08 nm,达到了较好的抛光效果。

铝栅去除速率控制机理

后形成栅极(RMG)化学机械抛光(CMP)是实现高k介质/金属栅的关键,决定了芯片上器件的可靠性。高去除速率、速率可控性与抑制电化学腐蚀是RMG平坦化抛光液的核心挑战。通过研究氧化剂、FA/OⅡ螯合剂和SiO_2磨料之间的配比,来控制自钝化、络合溶解及传质三个过程的动态平衡,实现高去除速率及速率可控性。实验结果表明,氧化剂体积分数和FA/OⅡ螯合剂体积分数之比为4∶3、SiO_2磨料质量分数为24%时,铝栅CMP的自钝化、络合溶解及传质三个过程之间基本达到平衡,获得了较高的去除速率和较佳的表面粗糙度,分别为286.2 nm/min和12.83 nm。按照该比例成倍加入三种化学试剂,达到了速率可控的目的。

铝栅化学机械抛光工艺

探讨了抛光液组成和机械抛光工艺参数(包括抛光压力、转速、抛光液流速和抛光时间)对铝栅化学机械抛光过程中铝的去除速率的影响,确定抛光液的组成为:氧化剂H_2O_2 1.0%(体积分数,下同),螯合剂FA/O II 0.4%,非离子表面活性剂FA/O I 2.0%,纳米硅溶胶磨料12%,pH 10。粗抛工艺参数为:抛光压力3.0 psi,转速50 r/min,抛光液流速250 m L/min,抛光时间240 s。精抛工艺参数为:抛光压力2.0 psi,转速45 r/min,抛光液流速150 m L/min,抛光时间240 s。粗抛时铝的去除速率为330 nm/min,精抛时铝的去除速率为210 nm/min。通过2种抛光工艺相结合,铝栅表面粗糙度可达13.26 nm。

铝栅碱性CMP的析氢腐蚀

采用碱性抛光液对铝栅进行化学机械抛光(CMP),在pH值大于8.3时会发生析氢反应,表面产生氢气泡,在铝栅表面留下大量蚀坑缺陷,降低平坦化效果,严重影响芯片器件性能的完整性和可靠性。对铝栅在碱性介质CMP条件下的析氢反应机理及控制理论进行了深入探究。通过接触角实验和静态腐蚀实验,并结合金相显微镜观察静态腐蚀后表面状态,发现抛光液中加入FA/O I非离子型表面活性剂可有效抑制碱性环境中铝栅CMP析氢腐蚀。通过实验得出,当碱性抛光液中FA/O I非离子型表面活性剂的体积分数为1.5%时,抛光液的表面张力最小,接触角最小,抑制析氢腐蚀效果最好。

短沟道铝栅CMOS器件及工艺研究

利用计算机模拟软件Tsuprem4、Medici以及流片实验开发了短沟道铝栅CMOS器件及其工艺流程.对铝栅1.5μm短沟道CMOS工艺进行器件结构、工艺和电气性能等参数的进行了大量的模拟和流片实验,最后在提出的工艺平台上成功流水了1.5μm铝栅CMOS.流片测试的阈值电压为±0.6V,击穿达到11V,各项指标参数的模拟与实际测试误差在5%以内,器件的各项指标达到了量产的要求.

p型PERC双面太阳电池背面铝栅线的设计

钝化发射极背面接触(PERC)双面太阳电池(PERC+)背面采用丝网印刷铝栅线的设计,代替常规PERC电池背面全铝背场层,达到背面发电的效果。对不同背面铝栅线宽度的PERC+电池和常规PERC电池的电性能及激光开窗截面图进行比较,发现了不同宽度的铝栅线对电池背面空洞率和局部背表面场(LBSF)层的质量有较大影响,合适的铝栅线宽度能最大程度地保证PERC+电池的转换效率。实验得出在相同的激光开窗工艺下,当背面铝栅线设计宽度为250μm时,PERC+电池具有较好的铝栅线高宽比,烧结后的激光开窗区域形成了良好的LBSF层。同时,所有电池在测试时背景采用不反光黑布。测试结果显示,最优组的PERC+电池平均正面转换效率达到21.21%、平均背面转换效率达到13.97%。

氧化剂对铝栅化学机械抛光的影响

氧化剂作为抛光液的组成成分,在铝栅化学机械抛光(CMP)中起到直接影响去除速率和表面粗糙度的重要作用。本文研究了氧化剂浓度对去除速率、表面粗糙度、电化学特性的影响,采用原子力显微镜和CHI600E电化学工作站,分别测量了材料的表面粗糙度和腐蚀电位。结果表明,去除速率与氧化剂浓度有关,表面粗糙度与通过氧化反应生成的氧化层有关,当氧化剂达到15mL/L时,去除速率可达到1700 nm/min,表面粗糙度为4.6 nm。

非离子表面活性剂对铝栅化学机械平坦化的影响

采用由5%(体积分数,下同)硅溶胶磨料、4%H2O2、1%FA/O型螯合剂和0.0%~2.5%多元胺醇型非离子表面活性剂组成的抛光液对铝栅表面进行化学机械平坦化处理。工艺条件为:工作压力13.79 kPa,抛头转速55 r/min,抛盘转速65 r/min,抛光液流量150 mL/min,时间180 s。研究了抛光液中非离子表面活性剂体积分数对铝片去除速率、表面粗糙度和润湿性的影响。随着非离子表面活性剂体积分数的增大,铝片的去除速率呈缓慢下降的趋势,表面粗糙度先减小后略增,对抛光液的接触角减小。抛光液中非离子表面活性剂积分数为2.0%时,铝片对其接触角为11.25°,抛光后的表面粗糙度(Ra)为2.3 nm。

n^＋p^＋p—n结隔离CMOS铝栅工艺

本文介绍一种新的ｎ￣＋ｐ￣＋ｐ－ｎ结隔离铝栅大规模集成电路工艺。它与常规铝栅ＣＭＯＳ工艺的重要区别在于，采用ｎ￣＋ｐ￣＋ｐ－ｎ结隔离技术，芯片上无低掺杂浓度区与厚的场氧化绝缘膜，场氧化膜与栅氧化膜在同一工序中完成并且厚度相接近。文中重点阐述了ｎ￣＋ｐ￣＋ｐ－ｎ结隔离击穿与ｎ￣＋，ｐ￣＋区掺杂浓度ｐ－ｎ结深度和器件特征尺寸之间的关系以及该工艺在电路中的应用等问题。

125mm铝栅CMOS工艺技术开发及其应用

铝栅CMOSIC作为一种功能较简单，性能比较低，集成度不高的低挡IC产品，长期以来一直采用75～100mm图片材料进行图片加工。本文阐述了一种采用125mm图片，与3μm硅极CMOS大生产线完全兼容的铝栅CMOS工艺技术。详细地讨论了它的开发过程及其技术特点，以及在产品生产上的应用前景。

氧化剂对铝栅化学机械抛光的影响

本文通过实验分析方法,对抛光液中氧化剂的浓度,在铝栅化学机械抛光效果中的影响进行研究,以为有关实践及研究提供参考。本文通过实验分析方法,对抛光液中氧化剂的浓度,在铝栅化学机械抛光效果中的影响进行研究,以为有关实践及研究提供参考。

新型碱性清洗液对铝栅CMP后硅溶胶的去除

针对铝栅化学机械抛光(CMP)后硅溶胶颗粒残留等问题,研制了新型FA/O碱性清洗液并进行CMP后清洗实验。清洗液主要成分是FA/OⅡ螯合剂和O-20非离子型活性剂,由金相显微镜和原子力显微镜检测结果得出:FA/OⅡ螯合剂可以有效去除硅溶胶颗粒,当不加入FA/OⅡ螯合剂时,残留颗粒较多;当螯合剂体积分数为0.05‰~0.2‰时,残留颗粒数量明显下降。通过电化学工作站可知:随着O-20非离子型活性剂体积分数的提升(0~2‰),铝栅自腐蚀电流逐渐降低,由5.195μA下降到1.024μA。通过改变清洗液中螯合剂和活性剂的体积配比做单因素实验,得到最佳清洗效果和最弱腐蚀。实验结果表明:当清洗液中FA/OⅡ体积分数为0.15‰,O-20活性剂体积分数为1.5‰时,pH>10,表面粗糙度为2.4 nm,硅溶胶颗粒去除效果比较好且非均匀腐蚀比较弱。

铝基电镀铅-锡合金板栅电化学性能的研究

采用交流阻抗法、断路电位衰退法、循环伏安法等研究了铝基电镀铅-锡合金轻型板栅在硫酸溶液中的电化学行为及其氧化膜的性质,以阐明元素锡对电镀轻型板栅电化学性能的影响。实验结果表明,在铅镀层中添加少量的锡可显著降低铅合金镀层的阳极膜阻抗,促进氧化膜的生长,有利于PbO转变为PbO1+x。

六边形铝格栅吊顶综合天花施工技术研究与应用

中国工艺美术馆中央序厅的六边形铝格栅吊顶从中国传统建筑文化中的六边形天花藻井汲取灵感,六边形编织图案蕴含着“六合”“六顺”之意。根据铝格栅吊顶形式,探索了一种新的喷淋定位追位方法,总结了一种兼顾施工质量和效率的施工工艺。

铝格栅吊顶高空整体提升施工技术探讨

针对大型公共建筑中庭钢结构屋架+玻璃采光屋顶下设置的铝格栅吊顶,安装高度拼装难度大的特点,文章提出"吊顶地面拼装+高空整体提升+高空挂装"的整体提升施工技术并介绍该工艺的技术原理、施工流程及施工要点。

铁铬铝网栅吸波性能的研究

采用涂覆法制备了FeCrAl金属网栅吸波材料。研究了FeCrAl丝的不同丝长度、不同丝间距排布对2～18GHz范围内吸波性能的影响规律。研究表明,连续FeCrAl丝网栅材料不具备吸波性能;随FeCrAl丝长度的减小,材料最大吸收峰向高频方向移动,且最大吸收峰绝对值也随丝长度的减小而增大;随FeCrAl丝间距的减小,最大吸收峰向低频方向移动,且最大吸收峰绝对值也随丝间距的减小而增大。