短沟道铝栅CMOS器件及工艺研究

利用计算机模拟软件Tsuprem4、Medici以及流片实验开发了短沟道铝栅CMOS器件及其工艺流程.对铝栅1.5μm短沟道CMOS工艺进行器件结构、工艺和电气性能等参数的进行了大量的模拟和流片实验,最后在提出的工艺平台上成功流水了1.5μm铝栅CMOS.流片测试的阈值电压为±0.6V,击穿达到11V,各项指标参数的模拟与实际测试误差在5%以内,器件的各项指标达到了量产的要求.

125mm铝栅CMOS工艺技术开发及其应用

铝栅CMOSIC作为一种功能较简单，性能比较低，集成度不高的低挡IC产品，长期以来一直采用75～100mm图片材料进行图片加工。本文阐述了一种采用125mm图片，与3μm硅极CMOS大生产线完全兼容的铝栅CMOS工艺技术。详细地讨论了它的开发过程及其技术特点，以及在产品生产上的应用前景。