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高阻硅基铝硅合金弹性膜MEMS相移器
被引量:
3
1
作者
石艳玲
卿健
+2 位作者
忻佩胜
朱自强
赖宗声
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第9期972-976,共5页
级联式 MEMS相移器可通过悬浮于共平面波导之上的微机械可调电容的变化 ,来改变传输线的特性阻抗和相速 ,达到相移的目的 .文中讨论了 MEMS相移器特性对微机械电容和下拉电压的要求 ,并通过轻质量的铝硅合金弹性膜 ,获得了较低的下拉电...
级联式 MEMS相移器可通过悬浮于共平面波导之上的微机械可调电容的变化 ,来改变传输线的特性阻抗和相速 ,达到相移的目的 .文中讨论了 MEMS相移器特性对微机械电容和下拉电压的要求 ,并通过轻质量的铝硅合金弹性膜 ,获得了较低的下拉电压 .测试结果表明 ,相移器的下拉电压不大于 4 0 V,且当控制电压大于 10 V时 ,即有明显的相移 .该 MEMS相移器制备于电阻率大于 4 0 0 0 Ω· cm的高阻硅衬底上 ,获得了较好的传输特性 ,在整个测试频段 1~ 4 0 GHz,S2 1 均小于 3d B,并在 2 5 V时获得了大于 2 5°的相移量 .
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关键词
铝硅合金弹性膜
MEMS相移器
高阻
硅
HR-Si
下拉电压
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职称材料
题名
高阻硅基铝硅合金弹性膜MEMS相移器
被引量:
3
1
作者
石艳玲
卿健
忻佩胜
朱自强
赖宗声
机构
华东师范大学电子科学技术系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第9期972-976,共5页
基金
国家 973计划 (No.G19990 3 3 10 5 )
国家自然科学基金 (批准号 :698760 12 )
+2 种基金
国家杰出青年基金 (批准号 :69975 40 9)
上海应用材料研究与发展基金 (No.0 10 3 )
上海市重点学科 (No.0 12 2 610 2 8)资助项目~~
文摘
级联式 MEMS相移器可通过悬浮于共平面波导之上的微机械可调电容的变化 ,来改变传输线的特性阻抗和相速 ,达到相移的目的 .文中讨论了 MEMS相移器特性对微机械电容和下拉电压的要求 ,并通过轻质量的铝硅合金弹性膜 ,获得了较低的下拉电压 .测试结果表明 ,相移器的下拉电压不大于 4 0 V,且当控制电压大于 10 V时 ,即有明显的相移 .该 MEMS相移器制备于电阻率大于 4 0 0 0 Ω· cm的高阻硅衬底上 ,获得了较好的传输特性 ,在整个测试频段 1~ 4 0 GHz,S2 1 均小于 3d B,并在 2 5 V时获得了大于 2 5°的相移量 .
关键词
铝硅合金弹性膜
MEMS相移器
高阻
硅
HR-Si
下拉电压
Keywords
MEMS phase shifter
AlSi alloy membrane
high resistivity silicon(HR Si)
pull down voltage
分类号
TN623 [电子电信—电路与系统]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高阻硅基铝硅合金弹性膜MEMS相移器
石艳玲
卿健
忻佩胜
朱自强
赖宗声
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
3
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