硫化法在金属箔片衬底上制备ZnS薄膜研究

采用铝箔作为衬底材料,用溅射Zn薄膜再硫化的两步法制备ZnS薄膜,对薄膜进行XRD、EDS和SEM测试,分析硫化温度对薄膜特性的影响。实验结果表明,硫化温度400℃可确保Zn与S反应生成ZnS,薄膜择优取向为(111)晶面。提高硫化温度可增大(111)衍射峰的强度和晶粒尺寸,即提高ZnS薄膜的结晶度。所制备薄膜的组分接近ZnS化学计量比,且表现出贫Zn和富S特性,说明已发生充分的硫化反应。薄膜表面平滑且无裂纹,由致密排列的晶粒组成。实验结果说明采用硫化法在铝箔衬底上制备ZnS薄膜的可行性。