产氢用铝镓合金的制备技术

为了探索一种新型、快捷、安全的制氢途径,实验以铝、镓为原材料,采用综合热分析仪、温控仪等设备,通过控制保护气体流量、保温时间、降温速率等工艺参数,进行了mg量级和g量级的产氢用铝镓合金的制备;并对合金样品进行了化学成分、熔点等分析。实验结果表明:综合热分析仪制备获得的铝镓合金性能优于温控仪获得的合金性能;采用综合热分析仪,氩气流量大于20 mL/min,铝镓合金熔点温度以上保温4—5 h,采用缓慢冷却可以获得与水反应快速产氢的铝镓合金。

铝镓合金制氢技术研究进展

氢气是最具发展潜力的二次能源,但储存和运输的高成本和低安全性是阻碍其应用的技术瓶颈。铝镓合金是一种集制备、存储为一体的长效能量储存模式,作为新型储氢材料的深度开发与利用而受到青睐。探讨了铝镓合金的反应机理,介绍了国内外铝镓合金的制备方法及研究进展,对未来的研究方向进行了展望。

浅析以粉煤灰为原料制备产氢铝镓合金的可行性

氢能作为一种高效、清洁的能源载体,被认为是最具发展潜力的二次能源,但如何妥善解决氢气的安全贮存和输运,是限制其大规模商业应用的关键。铝镓合金加水制氢的新技术,可以克服氢气的储存和运输两大障碍,具有广泛的发展和应用前景。由于镓资源紧缺且价格昂贵,是致使该项技术难以得到发展的核心问题。针对上述问题,本文分析了目前铝镓合金制氢技术的发展状况,提出了以内蒙古准格尔煤燃烧后的粉煤灰,作为原料提取铝、镓制备铝镓合金的技术思路,初步探讨了该项技术实施的可行性。

镓元素与初始晶粒尺寸对小变形条件下纯铝再结晶行为的影响

为了研究临界应变再结晶法单晶制备技术,对具有不同初始晶粒尺寸的纯铝与Al-1.8at%Ga合金在小变形条件下的再结晶行为开展了实验。结果表明,粗大纯铝晶粒可通过临界应变再结晶法制备,其临界应变量随再结晶退火温度的升高而降低。镓元素添加后提高了铝的晶界迁移速率,使得Al-1.8at%Ga合金的再结晶临界应变量小于纯铝。纯铝再结晶临界应变量随初始晶粒尺寸的减小而降低,粗大初始组织更适于临界应变再结晶法单晶制备。

镓在新能源领域的应用

镓是重要的半导体原材料,随着科技的发展,镓产品将逐步渗透到新能源等领域。本文简单介绍了发展新能源的紧迫性和新能源的发展方向,重点介绍了使用镓产品的几种新能源形式的市场前景,以及分析了当前市场镓产品的发展前景。最后,指出了氧化铝生产企业加强金属镓回收的必要性,镓产品生产企业加强提纯技术的必要性,以及及时关注市场动态、重视新产品研发的重要性。既有利于保护稀散金属资源,又能提高企业的盈利能力。

Ga含量对Al-Ga牺牲阳极电化学性能的影响

设计并熔炼了不同Ga含量的Al-Ga二元合金牺牲阳极材料,采用恒电流方法研究了Al-Ga牺牲阳极在海水中的电化学性能及Ga含量对Al-Ga牺牲阳极电化学性能的影响,并利用XRD分析了腐蚀产物以及Al-Ga牺牲阳极材料的晶格参数.结果表明,随Ga含量的增加,阳极开路电位和工作电位均负移,电流效率降低;Ga以固溶形式存在于铝基体中.

RF-MBE生长AlGaN/GaN二维电子气材料

用射频等离子体辅助分子束外延技术 (RF -MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料 .所外延的GaN膜室温背景电子浓度为 2× 10 17cm-3 ,相应的电子迁移率为 177cm2 /Vs;GaN (0 0 0 2 )X射线衍射摇摆曲线半高宽 (FWHM)为 6arcmin .;AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料的室温电子迁移率为 730cm2 /Vs ,相应的电子气面密度为 7.6× 10 12 cm-2 ;用此二维电子气材料制作的异质结场效应晶体管 (HFET)室温跨导达 5 0mS/mm (栅长 1微米 ) ,截止频率达 13 .2 5GHz(栅长 0 .5微米 ) ,可在 30