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红色AlGaInP激光器的特性及热特性分析
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作者 郭伟玲 廉鹏 +5 位作者 丁颖 李建军 崔碧峰 刘莹 邹德恕 沈光地 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期423-425,共3页
设计和制备了λ=680 nm的红色AlGaInP/GaInP应变量子阱激光器.制得的未镀膜20μm脊型条形红色激光器的输出功率达到100 mW,斜率效率0.56W/A,垂直和平行远场发散角分别为31°和9°.未镀膜4μm深腐蚀器件的功率可达10 mW,斜率效率... 设计和制备了λ=680 nm的红色AlGaInP/GaInP应变量子阱激光器.制得的未镀膜20μm脊型条形红色激光器的输出功率达到100 mW,斜率效率0.56W/A,垂直和平行远场发散角分别为31°和9°.未镀膜4μm深腐蚀器件的功率可达10 mW,斜率效率为 0.4 W/A,峰值波长为681 nm,峰值半宽为0.5nm.不同腔长器件的特性显示器件的内损耗为4.27/cm,内量子效率达45%.对不同腔长的器件进行了变温测试,得到器件的特征温度为120~190 K. 展开更多
关键词 红色AlGaInP激光器 热特性 半导体激光器 铝镓铟磷化合物
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