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红色AlGaInP激光器的特性及热特性分析
1
作者
郭伟玲
廉鹏
+5 位作者
丁颖
李建军
崔碧峰
刘莹
邹德恕
沈光地
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期423-425,共3页
设计和制备了λ=680 nm的红色AlGaInP/GaInP应变量子阱激光器.制得的未镀膜20μm脊型条形红色激光器的输出功率达到100 mW,斜率效率0.56W/A,垂直和平行远场发散角分别为31°和9°.未镀膜4μm深腐蚀器件的功率可达10 mW,斜率效率...
设计和制备了λ=680 nm的红色AlGaInP/GaInP应变量子阱激光器.制得的未镀膜20μm脊型条形红色激光器的输出功率达到100 mW,斜率效率0.56W/A,垂直和平行远场发散角分别为31°和9°.未镀膜4μm深腐蚀器件的功率可达10 mW,斜率效率为 0.4 W/A,峰值波长为681 nm,峰值半宽为0.5nm.不同腔长器件的特性显示器件的内损耗为4.27/cm,内量子效率达45%.对不同腔长的器件进行了变温测试,得到器件的特征温度为120~190 K.
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关键词
红色AlGaInP激光器
热特性
半导体激光器
铝镓铟磷化合物
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职称材料
题名
红色AlGaInP激光器的特性及热特性分析
1
作者
郭伟玲
廉鹏
丁颖
李建军
崔碧峰
刘莹
邹德恕
沈光地
机构
北京工业大学电子信息与控制工程学院
出处
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期423-425,共3页
基金
国家973基金资助项目(20000683-02)
国家自然科学基金资助项目(6007004)
北京市自然科学基金资助项目(4002003).
文摘
设计和制备了λ=680 nm的红色AlGaInP/GaInP应变量子阱激光器.制得的未镀膜20μm脊型条形红色激光器的输出功率达到100 mW,斜率效率0.56W/A,垂直和平行远场发散角分别为31°和9°.未镀膜4μm深腐蚀器件的功率可达10 mW,斜率效率为 0.4 W/A,峰值波长为681 nm,峰值半宽为0.5nm.不同腔长器件的特性显示器件的内损耗为4.27/cm,内量子效率达45%.对不同腔长的器件进行了变温测试,得到器件的特征温度为120~190 K.
关键词
红色AlGaInP激光器
热特性
半导体激光器
铝镓铟磷化合物
Keywords
AlGaInP
laser device
thermal property
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
红色AlGaInP激光器的特性及热特性分析
郭伟玲
廉鹏
丁颖
李建军
崔碧峰
刘莹
邹德恕
沈光地
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2002
0
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