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A1GaInP四元系材料双异质结发光二极管的最佳Al组分分析
被引量:
3
1
作者
陈贵楚
范广涵
+1 位作者
陈练辉
刘鲁
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第5期595-598,共4页
鉴于双异质结发光二极管(DH—LED)限制层的Al组分的不确定性,本文通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了Al组分确定为一个最合适的取值时,有源层中的载流子应有一个最大数量的复合,此时LED的复合效率最高、发光...
鉴于双异质结发光二极管(DH—LED)限制层的Al组分的不确定性,本文通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了Al组分确定为一个最合适的取值时,有源层中的载流子应有一个最大数量的复合,此时LED的复合效率最高、发光最强。这个最佳Al组分的确认,对于器件结构设计以及相关的MOCVD材料生长有指导意义。
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关键词
A1GaInP四元系
材料
双异质结发光二极管
DH—LED
AL组分
铝镓铟磷材料
下载PDF
职称材料
题名
A1GaInP四元系材料双异质结发光二极管的最佳Al组分分析
被引量:
3
1
作者
陈贵楚
范广涵
陈练辉
刘鲁
机构
华南师范大学光电子材料与技术研究所
出处
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第5期595-598,共4页
基金
国家科技攻关计划基金资助(00-068)。
文摘
鉴于双异质结发光二极管(DH—LED)限制层的Al组分的不确定性,本文通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了Al组分确定为一个最合适的取值时,有源层中的载流子应有一个最大数量的复合,此时LED的复合效率最高、发光最强。这个最佳Al组分的确认,对于器件结构设计以及相关的MOCVD材料生长有指导意义。
关键词
A1GaInP四元系
材料
双异质结发光二极管
DH—LED
AL组分
铝镓铟磷材料
Keywords
AlGaInP
LED
Al composition
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
A1GaInP四元系材料双异质结发光二极管的最佳Al组分分析
陈贵楚
范广涵
陈练辉
刘鲁
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2003
3
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