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A1GaInP四元系材料双异质结发光二极管的最佳Al组分分析 被引量:3
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作者 陈贵楚 范广涵 +1 位作者 陈练辉 刘鲁 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期595-598,共4页
鉴于双异质结发光二极管(DH—LED)限制层的Al组分的不确定性,本文通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了Al组分确定为一个最合适的取值时,有源层中的载流子应有一个最大数量的复合,此时LED的复合效率最高、发光... 鉴于双异质结发光二极管(DH—LED)限制层的Al组分的不确定性,本文通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了Al组分确定为一个最合适的取值时,有源层中的载流子应有一个最大数量的复合,此时LED的复合效率最高、发光最强。这个最佳Al组分的确认,对于器件结构设计以及相关的MOCVD材料生长有指导意义。 展开更多
关键词 A1GaInP四元系材料 双异质结发光二极管 DH—LED AL组分 铝镓铟磷材料
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