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稳定In/Si表面的LEED研究
1
作者
李文杰
姜金龙
+2 位作者
盖峥
赵汝光
杨威生
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期521-526,共6页
利用LEED图形拟合的方法对大量不同取向In Si表面的稳定性和小面化进行了研究 ,新发现了In覆盖度在1 2单层原子以下的三个稳定表面 :Si(2 14 ) In ,Si(317) In和Si(4 36 ) In ,以及In覆盖度在 1单层原子左右的两个稳定表面Si(10 1) ...
利用LEED图形拟合的方法对大量不同取向In Si表面的稳定性和小面化进行了研究 ,新发现了In覆盖度在1 2单层原子以下的三个稳定表面 :Si(2 14 ) In ,Si(317) In和Si(4 36 ) In ,以及In覆盖度在 1单层原子左右的两个稳定表面Si(10 1) In和Si(313) In .此外还确定了In覆盖度在 1单层原子左右的 6个稳定In Si表面的家族领地以及In覆盖度在 1 2单层原子以下的 4个稳定In Si表面的家族领地 .特别值得注意的是Si(10 3) In的家族领地相当大 ,甚至比最稳定的Si(111) 7×
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关键词
铟/硅表面
稳定
表面
家族领地
覆盖度
低维结构
纳米技术
俄歇电子谱
LEED图形
原文传递
题名
稳定In/Si表面的LEED研究
1
作者
李文杰
姜金龙
盖峥
赵汝光
杨威生
机构
北京大学物理学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期521-526,共6页
基金
国家自然科学基金 (批准号 :1963 40 10 )资助的课题~~
文摘
利用LEED图形拟合的方法对大量不同取向In Si表面的稳定性和小面化进行了研究 ,新发现了In覆盖度在1 2单层原子以下的三个稳定表面 :Si(2 14 ) In ,Si(317) In和Si(4 36 ) In ,以及In覆盖度在 1单层原子左右的两个稳定表面Si(10 1) In和Si(313) In .此外还确定了In覆盖度在 1单层原子左右的 6个稳定In Si表面的家族领地以及In覆盖度在 1 2单层原子以下的 4个稳定In Si表面的家族领地 .特别值得注意的是Si(10 3) In的家族领地相当大 ,甚至比最稳定的Si(111) 7×
关键词
铟/硅表面
稳定
表面
家族领地
覆盖度
低维结构
纳米技术
俄歇电子谱
LEED图形
Keywords
silicon surfaces, indium, stable surfaces, family territories
分类号
O562 [理学—原子与分子物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
稳定In/Si表面的LEED研究
李文杰
姜金龙
盖峥
赵汝光
杨威生
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
0
原文传递
已选择
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参考文献
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