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稳定In/Si表面的LEED研究
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作者 李文杰 姜金龙 +2 位作者 盖峥 赵汝光 杨威生 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期521-526,共6页
利用LEED图形拟合的方法对大量不同取向In Si表面的稳定性和小面化进行了研究 ,新发现了In覆盖度在1 2单层原子以下的三个稳定表面 :Si(2 14 ) In ,Si(317) In和Si(4 36 ) In ,以及In覆盖度在 1单层原子左右的两个稳定表面Si(10 1) ... 利用LEED图形拟合的方法对大量不同取向In Si表面的稳定性和小面化进行了研究 ,新发现了In覆盖度在1 2单层原子以下的三个稳定表面 :Si(2 14 ) In ,Si(317) In和Si(4 36 ) In ,以及In覆盖度在 1单层原子左右的两个稳定表面Si(10 1) In和Si(313) In .此外还确定了In覆盖度在 1单层原子左右的 6个稳定In Si表面的家族领地以及In覆盖度在 1 2单层原子以下的 4个稳定In Si表面的家族领地 .特别值得注意的是Si(10 3) In的家族领地相当大 ,甚至比最稳定的Si(111) 7× 展开更多
关键词 铟/硅表面 稳定表面 家族领地 覆盖度 低维结构 纳米技术 俄歇电子谱 LEED图形
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