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FEC法生长Si和In双掺GaAs单晶生长技术
被引量:
1
1
作者
周春锋
杨连生
+2 位作者
刘晏凤
李延强
杜颖
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期313-316,共4页
研究了几种消除LEC GaAs材料的位错措施以降低温度梯度从而尽可能降低晶体的热应力。掺入等电子In或Si使杂质硬化,为了抑制晶体表面产生位错,开发了全液封切克劳斯基(FEC)晶体生长技术。结合以上三种技术开发出了Si和In双掺FEC GaAs单...
研究了几种消除LEC GaAs材料的位错措施以降低温度梯度从而尽可能降低晶体的热应力。掺入等电子In或Si使杂质硬化,为了抑制晶体表面产生位错,开发了全液封切克劳斯基(FEC)晶体生长技术。结合以上三种技术开发出了Si和In双掺FEC GaAs单晶生长技术以消除位错。采用此技术已生长出半导体低位错密度的GaAs晶体,经证实这种掺Si和In低位错GaAs衬底可以满足GaAs LED制作。
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关键词
铟和硅双掺杂
全液封
砷化镓单晶
液封直拉法
下载PDF
职称材料
题名
FEC法生长Si和In双掺GaAs单晶生长技术
被引量:
1
1
作者
周春锋
杨连生
刘晏凤
李延强
杜颖
机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期313-316,共4页
文摘
研究了几种消除LEC GaAs材料的位错措施以降低温度梯度从而尽可能降低晶体的热应力。掺入等电子In或Si使杂质硬化,为了抑制晶体表面产生位错,开发了全液封切克劳斯基(FEC)晶体生长技术。结合以上三种技术开发出了Si和In双掺FEC GaAs单晶生长技术以消除位错。采用此技术已生长出半导体低位错密度的GaAs晶体,经证实这种掺Si和In低位错GaAs衬底可以满足GaAs LED制作。
关键词
铟和硅双掺杂
全液封
砷化镓单晶
液封直拉法
Keywords
In and Si double-doped
FEC
GaAs crystal
LEC
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
FEC法生长Si和In双掺GaAs单晶生长技术
周春锋
杨连生
刘晏凤
李延强
杜颖
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
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