期刊文献+
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
富铟磷化铟晶体中铟夹杂物基体特征分析 被引量:1
1
作者 王昊宇 杨瑞霞 +4 位作者 孙聂枫 王书杰 田树盛 陈春梅 刘惠生 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第5期386-389,共4页
对富铟磷化铟(InP)晶体中铟夹杂物的基体特征进行了分析和表征。在富铟熔体中制备了InP单晶,利用金相显微镜及红外透射显微镜研究InP晶体中的铟夹杂物形态及其基体周围的影响区的形成。研究发现在铟夹杂物周围的InP基体上存在一些轮廓... 对富铟磷化铟(InP)晶体中铟夹杂物的基体特征进行了分析和表征。在富铟熔体中制备了InP单晶,利用金相显微镜及红外透射显微镜研究InP晶体中的铟夹杂物形态及其基体周围的影响区的形成。研究发现在铟夹杂物周围的InP基体上存在一些轮廓线。基于铟夹杂物的形成过程和其对周围InP基体的影响,分析了铟夹杂物及其周围轮廓线的形成机理。通过位错腐蚀发现,铟夹杂物周围的InP基体上存在高的位错区,沿着晶体生长方向的位错密度偏高。通过力学分析发现,这种位错分布不均匀主要是由于富铟熔体结晶过程中沿着温度梯度方向的体积膨胀较大所致。 展开更多
关键词 INP 晶体生长 化合半导体 非配比熔体 铟夹杂物
下载PDF
非配比InP材料研究进展
2
作者 杨瑞霞 韩应宽 +4 位作者 孙聂枫 王书杰 王阳 李晓岚 孙同年 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第12期881-888,917,共9页
InP的配比度对晶体质量及相关器件性能有重要影响。若In-P熔体为富铟状态,不仅不容易生长单晶,而且易出现铟夹杂物;若熔体为富磷状态,则晶体中深能级缺陷将大幅增加,磷富余量过多时容易在晶体尾部产生孔洞,在孔洞周围位错密度明显增加... InP的配比度对晶体质量及相关器件性能有重要影响。若In-P熔体为富铟状态,不仅不容易生长单晶,而且易出现铟夹杂物;若熔体为富磷状态,则晶体中深能级缺陷将大幅增加,磷富余量过多时容易在晶体尾部产生孔洞,在孔洞周围位错密度明显增加。综述了与配比相关的InP材料的研究工作,着重分析了InP相图、不同配比InP材料制备、配比度的测量、与非配比相关的缺陷等方面的研究。重点探讨了非配比InP材料的制备、与配比相关缺陷的产生及缺陷对晶体质量的影响,对非配比InP的研究方向进行了分析和预测,提出了亟待研究解决的问题。 展开更多
关键词 INP 非配比 点缺陷 位错 铟夹杂物
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部