双铟封技术的工艺研究

对双铟封工艺应用于全静电摄像管中所存在的问题进行了讨论,并利用光电子能谱仪(ESCA)和扫描电子显微镜(SEM)对抛光的玻璃铟封表面经过不同的清洗工艺后的表面状态和形貌进行了测试分析,所得结果为寻找最佳工艺条件提供了依据。通过大量的工艺实验,采用双铟封工艺制作出中心分辨率为450TVL 的1.7 cm 全静电摄像管。

热铟封技术中多层金属薄膜的研究

在像增强器制备过程中,转移阴极—铟封技术使器件设计更加自由,并能提高器件的增益及时间、空间分辨率。相对于冷压铟封,热铟封技术更加简单实用,设备造价低,因此,在真空光电器件制备领域有着广泛的应用前景。但是,热铟封技术在保证器件气密性方面仍需进一步改善。本文采用真空蒸镀方式,在玻璃上制备了多层金属薄膜,以提高In-Sn合金与玻璃的润湿性能。采用座滴法比较了合金在玻璃及五种膜层结构表面的润湿及铺展性能。利用JSM-6700F型场发射电子扫描显微镜分析了润湿界面特性。结果表明:In-Sn合金与玻璃的润湿性能差,且在封接界面处容易产生孔洞;In-Sn合金在膜层结构玻璃/Cr/Cu和玻璃/Cr/Ni/Cu/Ag上表现出良好的铺展性和润湿性,在封接界面处,合金与薄膜表层结合致密,无缝隙或孔洞出现;器件铟封实验表明,采用膜层结构玻璃/Cr/Ni/Cu/Ag,热铟封制管成品率高,气密性良好。

二代近贴微光管光电阴极转移热铟封技术

本文主要叙述二代近贴管光电阴极转移热铟封技术，它工艺可靠、技术先进，对提高微光管的总体指标、解决像质差、提高制管成品率等方面都是一种具有广泛实用价值的先进技术。

微光器件铟封漏气因素分析

为解决微光管光电阴极与管体铟封漏气问题,采用扫描电镜和X射线能谱仪对铟材和封接过程工艺质量进行全面分析,结果表明造成铟封漏气的根本原因是铟量小,铟表面氧化和吸附的杂质污染造成的,与铟纯度无关。采取提高真空度,改进化铟工艺,控制铟高温外流等措施解决了阴极与管体铟封漏气问题,使气密性成品率大于90%。

铟封中铟与玻璃表面结合状态的研究

本文应用光电子能谱仪（ＥＳＣＡ）对玻璃经过不同清洗工艺后的表面清洁状态进行了测试分析，讨论了其差异产生的原因。还对烟与玻璃经过冷压封后的结合状态进行了剖面分析与研究。

铟封稳频He－Ne激光器

稳频Ｈｅ－Ｎｅ激光器中布氏窗片的封接引起的各向异性损耗，是影响激光输出功率的主要因素。采用先进的铟封接技术，可以大大改善稳频管的窗口封接质量，从而减小了腔的损耗，明显地提高了稳频Ｈｅ－Ｎｅ激光器的输出功率。

He-Ne激光陀螺仪真空铟封结构应力分析与工艺优化

氦氖激光陀螺仪电极封接是维持其微晶玻璃谐振腔体真空环境的关键技术之一。研究分析了氦氖激光陀螺仪经典铟封接结构特点及电极铟封性能,应用弹塑性力学理论建立铟封结构的物理和数学模型。数值计算了铟封结构残余应力,得到了不同物性参数的残余应力变化规律,分析了铟丝环直径、铟合金化学计量比等参数对铟封残余应力的影响;优化了封接工艺参数,提高了封接强度及谐振腔真空铟封性能,使铟封接强度与真空气密性能满足氦氖激光陀螺仪长寿命的使用要求。

铟封接和硅硅键合技术制作微通道型固定流导元件

提出了一种制作微通道型固定流导元件的方法,即基于硅硅直接键合将刻蚀深度约为1pim的沟槽结构密封成微通道,利用钢熔融封接技术使其与金属法兰结合构成通道型固定流导组件,使用氮质谱检漏仪对其漏率测试。测量结果表明,固定流导元件的流导测量值与理论计算值接近,相对误差不超过22.2%。氮气作为测量气体时,固定流导元件能够从高真空到30000Pa压强下实现分子流状态,即流导恒定。

基于分子动力学的He-Ne激光陀螺铟封铝-铟界面研究

谐振腔铟封接处漏气导致放电条件改变是氦氖激光陀螺失效的直接原因之一。针对阴极铝-铟封接界面,基于分子动力学方法,采用MEAM原子作用势,依据工艺温度与压力条件,模拟铝-铟界面原子扩散的物理过程,结果显示界面层原子以一定速率进行相互扩散,形成金属间化合物,直至扩散达到平衡;以5.0×1010应变率沿垂直界面方向对模型进行拉伸加载,得到了铝-铟界面模型在拉伸方向的应力-应变曲线,结果表明界面屈服强度低于相同尺寸的单晶铝和单晶铟,屈服应变介于铝、铟两种材料之间。相比于现有的研究成果,旨在为进一步优化谐振腔电极铟封工艺提供理论依据。

自动铟封设备及其控制系统

铟封是一种重要的软金属封接方法,陀螺的玻璃腔体和金属电极采用铟封,实现谐振腔的真空。目前铟封多采用手工操作,较难实现铟环、电极和腔体孔的对准,且封接一致性差,因此本课题研制自动铟封设备,实现铟环和电极与腔体孔的自动对准放置,并施加温度和封接力。本文利用温度控制器、加热棒、Pt电阻设计了温度闭环控制系统,采用位移-力控制策略,通过控制热压头的位移,结合系统刚度,实现了压封力的稳定控制。实验表明,设备的温度控制最大偏差小于±0.3℃,压封力控制偏差小于9 N。

铟封前后透射式GaAs光电阴极光谱响应特性的测试与分析

利用自行研制的光谱响应测试仪工程化样机，对透射式GaAs光电阴极在高温激活结束、低温激活结束以及铟封成管后的光谱响应特性进行了测试。结果显示，铟封后阴极整个响应波段的光谱响应下降，长波响应受到最显著的影响，表现为800-815nm之间长波响应大幅度衰减，截止波长和峰值波长向短波移动，峰值响应和积分灵敏度减小，最终的光谱响应曲线变得平坦。阴极参量的计算结果反映铟封后阴极的表面逸出几率降低，说明铟封引起阴极表面激活层发生变化，使得能揖较低的长波段光生电子不容易逸出，阴极长波响应和灵敏度随之降低。进一步分析了铟封过程中影响阴极表面激活层的因素。

用于金属密封联接的自动热压封接设备研制

针对手工作业难以保证铟封工艺的质量和一致性,研制了一台自动热压封接设备,用于实现某型号精密金属器件的密封。分析了金属铟封的热压工艺过程和工艺参数;介绍了自动热压封接设备的基本结构和控制系统;详细说明了设备温度、压力等工艺参数的控制方法,并对研制设备的压力、温度的控制性能进行了测试实验。使用研制的设备进行了热压铟封实验,并对连接的可靠性和密封性能进行了测试。结果表明,热压铟封后的金属器件符合产品要求。该设备能够保证精密金属器件的封接质量和一致性,提高了铟封工艺的自动化程度,提高了生产效率。

“日盲”紫外微通道板型光电倍增管研究

“日盲”紫外光电倍增管是紫外光通信和核辐射探测的关键器件,具有高辐射灵敏度、高增益、高分辨率、低噪声等特点。因此,紫外光电倍增管一直是国内外真空器件的重要研究领域。本文从结构设计、阴极制备、微通道板和整管封接4方面介绍了北方夜视研制的“日盲”紫外光电倍增管。采用的是MgF2光窗上蒸镀有效面积为Ф18 mm的Cs2Te光电阴极,通过增透技术使得250 nm处的辐射灵敏度从22 mA/W提高到26.5 mA/W;利用电子光学仿真得到信号上升时间小于500 ps,TTS优于0.1 ns的结构;采用结构优化和原子沉积技术使得微通道板增益达到5×10^6;采用玻璃/Cr/Cu/Ag多层金属薄膜热铟封接技术,可将整管铟封合格率提升至97%。

三代微光像增强器GaAs负电子亲合势(NEA)光电阴极稳定性研究

针对三代管ＧａＡｓ阴极灵敏度下降问题，开展工艺过程质量研究。

NEA光电阴极研究的最新进展及其制备技术探讨

以GaAs为代表的NEA光电阴极的应用范围越来越广,经过几十年的发展,NEA光电阴极的研究已经取得比较显著的成就,但就NEA光电阴极本身而言,尚有许多问题没研究清楚。从NEA光电阴极的掺杂方式、激活工艺、性能评估、铟封工艺和稳定性等方面探讨了最新的研究进展,给出了最新的技术指标及实现这些指标的方法,为下一步的深入研究提供必要的参考。

一台国外引进微光管制备真空设备超高真空获得的技术改进

介绍了国外引进微光管超高真空设备的系统结构、组成、设备功能及关键技术指标,得出了超高真空获得技术改进取得的结果,并对设备在国内的应用前景作了全面分析。