铟封接和硅硅键合技术制作微通道型固定流导元件

提出了一种制作微通道型固定流导元件的方法,即基于硅硅直接键合将刻蚀深度约为1pim的沟槽结构密封成微通道,利用钢熔融封接技术使其与金属法兰结合构成通道型固定流导组件,使用氮质谱检漏仪对其漏率测试。测量结果表明,固定流导元件的流导测量值与理论计算值接近,相对误差不超过22.2%。氮气作为测量气体时,固定流导元件能够从高真空到30000Pa压强下实现分子流状态,即流导恒定。

铟封稳频He－Ne激光器

稳频Ｈｅ－Ｎｅ激光器中布氏窗片的封接引起的各向异性损耗，是影响激光输出功率的主要因素。采用先进的铟封接技术，可以大大改善稳频管的窗口封接质量，从而减小了腔的损耗，明显地提高了稳频Ｈｅ－Ｎｅ激光器的输出功率。

He-Ne激光陀螺仪真空铟封结构应力分析与工艺优化

氦氖激光陀螺仪电极封接是维持其微晶玻璃谐振腔体真空环境的关键技术之一。研究分析了氦氖激光陀螺仪经典铟封接结构特点及电极铟封性能,应用弹塑性力学理论建立铟封结构的物理和数学模型。数值计算了铟封结构残余应力,得到了不同物性参数的残余应力变化规律,分析了铟丝环直径、铟合金化学计量比等参数对铟封残余应力的影响;优化了封接工艺参数,提高了封接强度及谐振腔真空铟封性能,使铟封接强度与真空气密性能满足氦氖激光陀螺仪长寿命的使用要求。