微光器件铟封漏气因素分析

为解决微光管光电阴极与管体铟封漏气问题,采用扫描电镜和X射线能谱仪对铟材和封接过程工艺质量进行全面分析,结果表明造成铟封漏气的根本原因是铟量小,铟表面氧化和吸附的杂质污染造成的,与铟纯度无关。采取提高真空度,改进化铟工艺,控制铟高温外流等措施解决了阴极与管体铟封漏气问题,使气密性成品率大于90%。