提高铟工艺回收率探讨

文章描述了某企业目前从铟富集渣回收铟的工艺流程,并针对原料的变化进行了工艺研究,对铟浸出、浸出液净化、萃取、反萃液净化等进行了试验,根据试验结果进行了工业化试验,取得了较为明显的效果,回收率由80%提高到了85%,系统产能由每年50 t提高到66 t。

ICCT风险评估法应用于氧化铟工艺的职业病危害预评价

目的对某FT-LCD面板关键材料ITO靶材生产制备氧化铟工艺系统进行职业病危害预评价。方法国际化学品工具箱法(ICCT)风险评估法。结果该工艺系统存在的主要化学品职业病危害因素有:铟及其化合物、二氧化锡、盐酸、氢氧化钠、氨、尿素、丙酮等。拟采取的职业病防护设施满足职业病防治的要求,该工艺系统拟采取的控制方法是有效的,职业病危害发生的可能性比较小。结论应用ICCT风险评估法对氧化铟工艺建设项目进行职业病危害预评价是可行的。

从铟富集渣到精铟的工艺设计及生产改造

本文介绍了豫光锌业公司精铟产品的工艺流程设计,分析了试产中出现的问题,并有针对性对工艺进行了改进,使铟产品质量和产量均达到设计要求。

A Practical Backside Technology for Indium Phosphide MMICs

A wet etching process for backside via holes suitable for use on InP MMICs technologies is developed for indium phosphide substrate.PMMA is used to mount InP wafer onto glass carrier.Spattered Ta film is utilized as etch mask.HCl+H 3PO 4 solution realised a etch until a depth of 100μm.It is demonstrated that the wet etching backside process is controllable with large latitudes.

NEA光电阴极研究的最新进展及其制备技术探讨

以GaAs为代表的NEA光电阴极的应用范围越来越广,经过几十年的发展,NEA光电阴极的研究已经取得比较显著的成就,但就NEA光电阴极本身而言,尚有许多问题没研究清楚。从NEA光电阴极的掺杂方式、激活工艺、性能评估、铟封工艺和稳定性等方面探讨了最新的研究进展,给出了最新的技术指标及实现这些指标的方法,为下一步的深入研究提供必要的参考。

用于金属密封联接的自动热压封接设备研制

针对手工作业难以保证铟封工艺的质量和一致性,研制了一台自动热压封接设备,用于实现某型号精密金属器件的密封。分析了金属铟封的热压工艺过程和工艺参数;介绍了自动热压封接设备的基本结构和控制系统;详细说明了设备温度、压力等工艺参数的控制方法,并对研制设备的压力、温度的控制性能进行了测试实验。使用研制的设备进行了热压铟封实验,并对连接的可靠性和密封性能进行了测试。结果表明,热压铟封后的金属器件符合产品要求。该设备能够保证精密金属器件的封接质量和一致性,提高了铟封工艺的自动化程度,提高了生产效率。